Заключение. 
Методы измерения энергетических параметров полупроводников

Изучены методы контроля энергетических параметров полупроводников и квантово-размерных структур. Рассмотрены электрический и оптические методы.

Исследование температурной зависимости электропроводности — неразрушающий метод исследования полупроводников, позволяющий определить ширину запрещенной зоны и глубину залегания примесных уровней в акцепторном или дырочном полупроводнике. Данный метод довольно прост в исполнении, однако может потребоваться изменение температуры в довольно широком интервале.

Исследование спектров фотопроводимости, фотопоглощения и люминесценции относятся к оптическим методам исследования полупроводников. Они позволяют определить ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей, энергию уровней дефектов. Метод фотопоглощения также позволяет определить тип зонной структуры проводника, энергию фононов в непрямозонном полупроводнике. При низких температурах этот метод позволяет исследовать экситонное поглощение. Схож с ним метод анализа спектра люминесценции. Эти два метода используются для исследования квантово-размерных структур и позволяют определить их энергетическую структуру.