Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Диссертация: Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Альтернативным и относительно новым вариантом создания массивов КТ является т.н. «капельная эпитаксия». Применительно к полупроводникам АШВУ она заключается в последовательном осаждении элементов III и V групп и представляет один из вариантов кристаллизации по механизму пар-жидкость-твердое. К сравнительным достоинствам такого метода можно отнести независимость его от величины рассогласования… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава I. Литературный обзор
    • 1. 1. Низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
    • 1. 2. Методы получения низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур
    • 1. 3. Гетероструктуры с квантовыми точками на основе полупроводниковых соединений АШВУ
      • 1. 3. 1. Получение гетероструктур с квантовыми точками по механизму Странского-Крастанова
      • 1. 3. 2. Капельный метод формирования квантовых точек
    • 2. Расчетная оценка формирования бездефектных квантовых точек в системе 1пА8/ОаА8 по механизму Странского-Крастанова
      • 2. 1. Методика расчета
      • 2. 2. Результаты расчета и обсуждение
    • 3. Разработка капельного метода формирования квантовых точек в системе 1пА8/ОаА8 в условиях МОС-гидридной эпитаксии
      • 3. 1. Методики эксперимента
      • 3. 2. Исследование влияния температуры пиролиза триметилгаллия на осаждение наноразмерных капель индия на подложке ОаАз (100)
      • 3. 3. Анализ дополнительных способов воздействия на размеры осаждаемых капель индия

Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность.

Со времени создания первых работающих в непрерывном режиме при комнатной температуре лазеров на основе полупроводниковых гетероструктур (70-е годы прошлого века), они получили широкое применение в различных областях науки, техники и в повседневной жизни человека. Существенного повышения рабочих характеристик лазерных диодов удалось добиться с переходом на наноразмерные гетероструктуры, что стало возможным благодаря развитию таких технологических методов как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и газофазная эпитаксия с использованием металл органических соединений и гидридов — МОС-гидридная эпитаксия (МОСГЭ). При этом наибольшая эффективность генерации излучения достигается в лазерах на основе полупроводниковых гетероструктур с упорядоченными массивами квантовых точек (КТ). Для них характерны меньшие значения порогового тока накачки, большее дифференциальное усиление, более слабая температурная зависимость порогового тока, более высокие рабочие частоты [1].

В настоящее время основным методом создания полупроводниковых гетероструктур с массивами КТ является эпитаксия, осуществляемая по механизму Странского-Крастанова (С-К). Несмотря на широкое использование этого метода, следует отметить и некоторые его ограничения. Механизм С-К реализуется лишь в том случае, когда величина рассогласования периодов кристаллической решетки подложки и осаждаемого материала лежит в определенном диапазоне значений. Это значительно ограничивает круг материалов, для которых он может быть применен. Экспериментальные результаты указывают также, что для лазеров на основе таких структур характерны большие, в сравнении с теоретически предсказываемыми, пороговые токи накачки, а также спектральное уширение пиков излучения. Наиболее вероятной причиной этого является относительной большой разброс размеров КТ и наличие смачивающего слоя, существенно влияющего на оптические свойства и кинетику носителей в КТ. При этом толщина смачивающего слоя зависит от величины решеточного рассогласования подложки и осаждаемого материала и практически не управляется.

Эффективность излучения лазерных диодов на гетероструктурах с КТ зависит также от и структурного совершенства КТ, в частности, от наличия в них дислокаций несоответствия. В связи с этим анализ условий реализации механизма С-К и образования дислокаций несоответствия в формируемых КТ для конкретных полупроводниковых систем представляет собой практически важную задачу.

Альтернативным и относительно новым вариантом создания массивов КТ является т.н. «капельная эпитаксия». Применительно к полупроводникам АШВУ она заключается в последовательном осаждении элементов III и V групп и представляет один из вариантов кристаллизации по механизму пар-жидкость-твердое. К сравнительным достоинствам такого метода можно отнести независимость его от величины рассогласования периодов кристаллической решетки подложки и осаждаемого вещества и, как следствие, возможность формирования КТ в изопериодных системахвозможность получения гетероструктур с КТ без смачивающего слоя.

В последние годы появился ряд публикаций, посвященных разработке этого варианта в условиях МЛЭ. В то же время представляет несомненный научный интерес изучение возможности реализации этого механизма в условиях МОСГЭ как более производительного и экономичного метода.

Цель работы. Анализ условий формирования бездислокационных КТ по механизму С-К и исследование возможности реализации метода капельной эпитаксии в условиях МОСГЭ в системе 1пОаА8/ОаА8.

В соответствии с указанной целью были поставлены следующие задачи:

1. Расчетная оценка границ составов эпитаксиальных слоев 1пхОа1хА8, для которых возможно создание бездислокационных КТ по механизму С-К на подложках ОаАБ.

2. Определение возможности осаждения наноразмерных капель индия на подложках ОаАБ низкотемпературным термическим разложением триметилиндия (ТМИ).

3. Исследование влияния условий пиролиза ТМИ в проточном реакторе установки МОСГЭ на размеры и плотность массивов осаждаемых капель индия.

4. Изучение влияния режимов термообработки на геометрические параметры и изменение состава капель индия, осажденных на подложки ваАз.

5. Исследование воздействия предварительной обработки поверхности буферных слоев ОаАз фосфином на формирование массива КТ.

6. Проведение предварительных экспериментов по формированию КТ обработкой наноразмерных капель индия арсином.

Научная новизна.

1. Оценены критические толщины эпитаксиальных слоев 1пхОа1хА8, обеспечивающие переход к механизму С-К при росте на подложках ваА8. Установлены границы составов и критические толщины эпитаксиальных слоев, для которых возможно получение бездислокационных КТ.

2. Впервые исследована возможность формирования КТ капельным методом в условиях МОСГЭ. Показано, что в результате низкотемпературного пиролиза ТМИ возможно осаждение на подложках ОаАБ плотного массива наноразмерных капель индия и установлены зависимости геометрических размеров капель от условий осаждения.

3. Показана возможность использования термообработки образцов 1п (ж)-ОаА8(тв) в протоке водорода для направленного регулирования размеров осажденных капель индия.

4. С применением термодинамического анализа установлены пределы изменения состава капель индия в результате возможного подрастворения подложки ОаАБ в процессе термообработки.

Практическая ценность работы.

1. На основе проведенных исследований определены технологические режимы формирования плотных массивов наноразмерных капель индия на подложках ваАэ термическим разложением ТМИ в рабочей камере установки МОСГЭ.

2. Установлены режимы термообработки образцов в водородной атмосфере, способствующие устранению слияния капель индия и уменьшению их размеров.

3. Проведенные пионерские исследования создают базу для последующего развития капельного метода получения гетероструктур InxGai xAs/GaAs с массивами КТ в условиях МОСГЭ.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Формирование КТ в системе InxGaixAs/GaAs по механизму С-К возможно в интервале составов (0,23 < х < 1). При этом с уменьшением х верхний предел толщин роста бездислокационных КТ возрастает от -9,4 монослоев (МС) при х=1 до -47 МС при х=0,23.

2. Термическим разложением ТМИ при Т = 150 — 350 °C на подложках GaAs (lOO) могут быть сформированы массивы наноразмерных капель индия.

9 2 плотностью — 0,4 2−10 см", высотой -2,5 12 нм. При прочих равных условиях размеры капель уменьшаются, а плотность их расположения возрастает с понижением температуры пиролиза ТМИ.

3. Термическая обработка капель индия, осажденных на поверхности подложек GaAs (lOO), в проточной атмосфере водорода при Т > 350 °C позволяет фрагментировать слившиеся капли индия и уменьшить их размеры.

4. Возможное подрастворение подложки GaAs с осажденным индием в процессе термообработки при 150<�Т<550°С не приводит к значительному изменению состава капель и не может существенно повлиять на характеристики формируемых КТ.

Апробация диссертации.

Основные результаты работы были представлены на конференциях:

1. Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистем», 22−25 октября 2009 г., Ульяновск;

2. IX международная научная конференция «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии» 11−16 октября 2009 г., Кисловодск;

3. III Молодежная научно-техническая конференция «Наукоемкие химические технологии-2009», 13−14 ноября 2009 г., Москва;

4. XIII Международная научно-техническая конференция «Наукоёмкие химические технологии-2010» 29 июня-02 июля 2010 г., Иваново-Суздаль;

5. Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии-2010», 19−24 сентября 2010 г., Дивноморское.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, из них 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, 5 работ в материалах научно-технических конференций.

выводы.

1. Расчетным путем оценен диапазон составов и толщин эпитаксиальных слоев, в пределах которого возможно формирование бездислокационных КТ в системе 1пхОа1хА8 /ОаАя по механизму С-К. Показано, что указанный механизм может быть реализован для составов (0,23 < х < 1), при этом толщины перехода к дислокационному росту для указанных составов лежат в пределах от -9,4 до -47 монослоев, возрастая с уменьшением х.

2. Впервые исследована возможность создания КТ капельным методом в условиях МОСГЭ. Показано, что в результате низкотемпературного пиролиза ТМИ возможно осаждение на подложках ваА8 плотного массива наноразмерных капель индия. Установлено, с понижением температуры осаждения от 360 до 200 °C при прочих равных условиях плотность.

9 2 размещения капель возрастает от 0,4 до 1,5×10 см", а их средние размеры по основанию уменьшаются от -350 до ~150 нм.

3. На основе расчетных и экспериментальных результатов показана возможность использования термообработки образцов 1п (ж)-ОаА8(тв) в протоке водорода для направленного регулирования размеров наноразмерных капель индия путем испарения излишнего его количества.

4. В результате расчетной оценки, основанной на анализе гетерогенных равновесий в системе 1п-Оа-А8, установлено пренебрежимо малое изменение состава капель индия в результате возможного подрастворения ими подложки ОаАз в ходе термической обработки образцов. При этом возможное изменение состава равновесной твердой фазы 1пхОаьхА8 также мало: от х = 1 в отсутствие подрастворения до х ~ 0,99 при Т= 350 °C и дох-0,89 при повышении температуры термообработки до 500 °C.

5. Показано, что предварительная обработка поверхности буферного слоя ОаАя фосфином позволяет повысить упорядоченность расположения и уменьшить слияние осаждаемых капель индия.

6. Проведение предварительных экспериментов по обработке наноразмерных капель индия арсином без последующего отжига показало образование на поверхности подложки ваАБ остроконечных кристаллических образований. Формирование КТ на основе таких образований является предметом дальнейших исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Таким образом, в результате выполненной работы проанализированы возможности формирования гетероструктур с бездислокационными КТ в системе 1пхОа1хА8 /ОаАз по механизму С-К и проведены экспериментальные и расчетные исследования по разработке капельного метода создания указанных гетероструктур в условиях МОСГЭ.

В первом случае на основе расчета упругой энергии, накапливаемой в процессе эпитаксиального роста, определены наиболее энергетически выгодные для гетероструктур разного состава способы релаксации упругих напряжений эпитаксиального слоя: образование КТ по механизму С-К или генерация дислокаций несоответствия. Определены интервалы толщин эпитаксиального слоя и составов твердых растворов, позволяющие обеспечивать рост бездислокационных КТ. Показано, что результаты расчетов находятся в хорошем согласии с опубликованными экспериментальными данными.

При разработке капельного метода в результате экспериментальных исследований показана возможность создания на поверхности подложки СаА8(001) наноразмерных капель индия и установлена зависимость размеров капель и плотности формируемого массива от температуры процесса. Проанализированы дополнительные возможности воздействия на указанные параметры создаваемых гетероструктур, а также возможные побочные эффекты. Проведенные исследования характеризуются новизной и создают основу для дальнейшего развития капельного метода формирования полупроводниковых гетероструктур капельным методом в условиях МОСГЭ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. — Т. 32. — № 1. — С. 3.
  2. J. Emilio Preto, Е. Korutcheva, I. Markov. Formation and self-assembly of coherent Quantum Dots: some thermadynamic aspects. // Cond. Mat. -2006.-Vol. 2.-P. 123.
  3. I. Kaianer. MOCVD growth of InGaAs/GaAs Quantum Dots for long wavelength lasers and VCSELs. // Dissertation, Berlin 2006.
  4. I. Daruka, A. Barabasi. Dislocation-free island formation in heteroepitaxial growth: study at equilibrium. // Phys. Rev. Lett. 1997 — Vol. 79. -No 19.-P. 3708.
  5. E. Korutcheva, A. M. Truiel, I. Marcov. Coherent Stranski-Krastanov growth in 1+1 dimensional with anharmonic interactions: an equilibrium study. // Physical Review B. 2000. Vol. 61. — No 24. — P. 16 890.
  6. Y. Arakawa and H. Sakaki. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current. // Appl. Phys. Lett. 1982. — No 40.-P. 939.
  7. Andrerw J. Shields. Review: semiconductor quantum light sources. // Nature Photonics. 2005. — Vol. 1. — No 215. — P. 1.
  8. H. Лойко Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию // Москва.- 1999.
  9. J. Marquez, L. Geelhar, K. Jacobi. Atomically resolved structure of InAs Quantum Dots. 11 Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78. — No 16. — P. 2309.
  10. P.X. Низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры. // Москва, МИТХТ 2004.
  11. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1998 — Vol. 64. — No 2. — P. 196.
  12. Beher M. et al. // Microelectronics. 1996. — No 27 — P.297.
  13. Takashi Ueda, et al. Heteroepitaxy of InGaAs on GaAs substrate with Intermediate layer. // J. of Crystal Growth. 1988. — No 93. — P. 517.
  14. Chin-I. Liao et al. Direct growth of high-quality InGaAs strained layers on misoriented GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition. // J. of Applied Physics. 2002. — No 41. — P. 1247.
  15. M. Sexl, G. Bohm, G. Welman, G. Abstreiter. MBE Growth of Metamorphic In (Ga)AlAs Buffers. // 24th International Symposium on Compound Semiconductors. 1997. — WF12.
  16. K. Hoshino, Y. Arakawaio Formation of high-density gaN self-assembled Quantum Dots by MOCVD. // J. Crystal Growth. 2004 — Vol. 272. -P. 161.
  17. J.J. Coleman. MOCVD for optoelectronic device. // Proceedings of the IEEE 1997. — Vol. 85. — No 11. — P. 1715.
  18. M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Ahopelto. Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1995. -Vol. 67.-No 25.-P. 3768.
  19. J. Johansson, W. Seifert. Kinetics of self-assembled island formation: part I island density. // J. Crystal Growth. — 2002 — Vol. 234 — P. 132.
  20. J. Johansson, W. Seifert. Kinetics of self-assembled island formation: part II island density. // J. Crystal Growth. — 2002 — Vol. 234 — P. 139.
  21. R. Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. Wysmolek, A. Kurpiewski, M. Kaminska. Different paths to tenability in III-V Quantum Dots. // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 84. — No 1 — P. 248.
  22. C.M. Reaves, V. Bressler-Hill, S. Varma, W.H. Weinberg, S.P. DenBaars. Characterization of MOCVD-grown InP on InGaP/GaAs (001). // Surf. Sci.- 1995.-Vol. 326.-P. 209.
  23. A. Barabasi. Self-assembled island formation in heteroepitaxial growth. // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 70 — No 19. — P. 2565.
  24. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. // Rewiews of Modern Physics 1999. — Vol. 71. — No 4. -P. 1125.
  25. A.Lemaitre, G. Patriarche, F. Glas. Composition profiling of InAs/GaAs Quantum Dots. // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 85. — No 17. -P. 3717.
  26. G.O. Berim, E. Ruckenstein. Nanodroplets on a planar solid surface: temperature, pressure, and size dependence of their density and contact angles. // Langmuir 2006. — Vol. 22. — P. 1063.
  27. R.L. Sellin, I. Kaiander, D. Ouyang, T. Kettler, U.W. Pohl, D. Bimberg, N.D. Zaharov, P. Werner. Alternative-precursor MOCVD of self-organized InGaAs/GaAs Quantum Dots lasers. // Appl. Phys. Lett. 2003 — Vol. 82.-No 6.-P. 841.
  28. I. A. Aksay, C.E. Hoge, J.A. Pask. Wetting under chemical equilibrium and nanoquilibrium conditions. // J. Phys. Chem. 1974. — Vol. 78. — No 12. -P. 1178.
  29. V.C. Elarde, T.S. Yeoh, R. Rangarajan, J.J. Coleman. Controlled fabrication of InGaAs Quantum Dots by selective area epitaxy MOCVD growth. // J. Crystal Growth. 2004. — Vol. 272 — P. 148.
  30. I.N. Kaiander, F. hopfer, T. Kettler, U.W. Pohl, D. Bimberg. Alternative precursor growth of Quantum Dot-based VCSELs and edge emitters for near wavelengths. // J. Crystal Growth. 2004. — Vol. 272 — P. 154.
  31. F. Heinrichsdorff. MOCVD growth and laser applications of In (Ga)As/GaAs Quantum Dots. // Dissertation, Berlin, 1998.
  32. J. Motohisa, J. Noborisaka, J. Takeda, M. Inari, T. Fukui. Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (lll)B oriented substrates. // J. Crystal Growth. 2004. — Vol. — P. 180.
  33. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs. // Phys. Rew. B. 1994 — Vol 50. — No 16. — P. 11 687.
  34. M.P. Pires, S.M. Landi, C. V-B. Tribuzy, L.A. Nunes, E. Marega, P.L. Souza. InAs Quantum Dots over InGaAs for infrared photodetectors. // J. Crystal Growth 2004 — No 272 — P. 192.
  35. B. Bansal, M.R. Gokhale, Arnab Bhattacharya, B.M. Arora. Growth kinetics effects on self-assembled InAs/InP Quantum Dots. // Appl. Phys. Lett. -2005-No 87.-P. 203 104.
  36. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.Y. Sibirev, yu. B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Diffusion-induced growth of GaAs nanowhiskers during MBE: theory and experiment. // Phys. Rew. B 2005 — Vol. 71.-P. 205 325.
  37. S.M. Wang, T.G. Andersson, M.J. Ekenstedt. Temperature-dependent transition from two-dimensional to three-dimensional growth in highly strained InxGal-xAs/GaAs (0.36
  38. R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. 1.3 |im photoluminescence from InGaAs Quantum Dots on GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67. — No 25. — P. 3795.
  39. S.P. DenBaars, C.M. Reaves, V. Bressler-Hill, S. Varma, W.H. Weinberg, P.M. Petroff. Formation of coherently strained self-assembled InP quantum islands on InGaP/GaAs (001). // J. Crystal Growth. 1994. — Vol. 145 -P. 721.
  40. J.H. Lee, Zh.M. Wang, B.L. Liang, K.A. Sablon, N.W. Strom, G.J. Salamo. Size and density control of In As QD ensembles on self-assembled nanostructured templates. // Semicond. Sci. Technol. 2006. — Vol. 21 — P. 1547.
  41. R. Leon, C. Lobo, J. Zou, T. Romeo, D.J.H. Cockayne. Stable and metastable InGaAs/GaAs island shapes and surfactant-like suppression of the wetting transformation. // Phys. Rev. Lett. 1998. — Vol. 81. — P. 2486.
  42. A. Yi, H. Wong Theory of slope-dependent disjoining pressure with application to Lennard-Jones liquid films.// Coll. And Inter. Science. 2007. -Vol. 313 — P. 579.
  43. Y. Nakata, K. Mukai, M. Sugawara, K. Ohtsubo, H. Ishikawa, and N. Yokoyama. Molecular beam epitaxial growth of InAs self-assembled quantum dots with lightemission at 1.3 im. II J. Crystal Growth. 2000 — Vol. 208 — P. 93.
  44. J. Konle, H. Presting, H. Kibbel. Self-assembled Ge-islands for photovoltaic applications. // Physica E 2003. — Vol. 16 — P. 596.
  45. O.G. Schmidt, A. Rastelli, G.S. Kar, R. Songmuang, S. Kiravittaya, M. Stoffel, U. Denker, S. Stufler, A. Zrenner, D. Grutzmacher, B.-Y. Nguyen, P. Wennekers. Novel nanostructure architerures. // Physica E 2004. — Vol. 25 -P. 280.
  46. S.B. Krupanidhi. III-V compound semiconductor QDs for nanoelectronics. // J. Indian institute of science. 2007. — Vol. 87. — P. 1.
  47. T. Yang, J. Tatebayashi, S. Tsukamoto, M. Nishioka, Y. Arakawa. Narrow photoluminescence linewidth (<17 meV) from highly uniform self-assembled InAs/GaAs QDs grown by low-pressure MOCVD. // Appl. Phys. Lett. -Vol. 84.-No 15.-P. 2817.
  48. J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa. Over 1.5 ?am light emission from InAs QDs embedded in InGaAs strain-reducing layer grown by MOCVD. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78. — No 22. — P. 3469.
  49. A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ito. First-principles investigation of Ga adatom migration on a GaAs (111) A surface. // J. Cryst. Growth. 1999. Vol. 201/202.-P. 73.
  50. J. Nara, T. Sasaki, T. Ohno. Theory of adsorption and diffusion of Si adatoms on H/Si (100) stepped surface. // J. Cryst. Grow. 1999. Vol. 201/202 -P. 77.
  51. Nicole M. Dingle, Michael T. Harris. A robust algorithm for the simultaneous parameter estimation of interfacial tension and contact angle from sessile drop profiles. // J. Coll. and Interface Science 2005 Vol. 286 — P. 670.
  52. K. Potschke, L. muller-Kirsch, R. Heitz, R.L. Sellin, U.w. Pohl, D. Bimberg, N. Zakharov, P. Werner. Ripening of self-organized InAs QDs. // Physica E. 2004. — Vol. 21. — P. 606.
  53. M. Berti, A.V. Drigo, G Rossetto, G. Torzo. Experimental evidence of two-dimensional-three-dimensional transition in the Stranski-Krastanow coherent growth. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1997 — Vol. 15. — No 5. — P. 1794.
  54. C. Lobo, R. Leon. InGaAs island shapes and adatom migration behavior on (100), (110), (111), (311) GaAs surface. // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 83.-No 8.-P. 4168.
  55. J. Ro, S. Kim, K. Park, E. Lee, J. Lee. Ga-droplet-induced formation of GaAs nano-islands by chemical beam epitaxy. // J. Cryst. Growth. 1999. -Vol. 201/202-P. 1198.
  56. N. Koguchi, S. Takahashi and T. Chikyow. New MBE growth method for InSb quantum well boxes. // J. Cryst. Growth. 1991. — Vol. 111. — P. 688.
  57. L. Knuuttila, T. Korkala, M. Sopanen, H. Lipsanen. Self-assembled In (Ga)As islands on Ge substrate. // J. Crystal Growth 2004. — Vol. 272. -P. 221.
  58. V. Perez-Solorsano, A. Groning, H. Schweizer, M. Jetter. Growth of self-assembled AlInGaN Quantum Dots by MOVPE. // J. Crystal Growth. 2004. -Vol. 272.-P. 186.
  59. N. Koguchi. J. Toward the Fabrication of Site-Controlled III-V Compound Semiconductor Quantum Dots by Droplet Epitaxy. // of the Korean Phys. Soc. 2004 — Vol. 45. — P. S650.
  60. J.S. Kim and N. Koguchi. Near room temperature droplet epitaxy for fabrication of InAs Quantum Dots. // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 85. — No. 24. -P. 5893.
  61. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, M. Oshima and N.Koguchi. Fabrication of InGaAs Quantum Dots on GaAs (001) by Droplet Epitaxy. // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 209 — P. 504.
  62. Z.M. Wang, B. Liang, K.A. Sablon, J Lee, Y I Mazur, N W Strom, G J Salamo. Self-organization of InAs quantum-dot clusters directed by droplet homoepitaxy. // Small 2007. — Vol. 3. — No. 2 — P. 235.
  63. D.L. Sales, J.S. Hermander, P.A. Midgley et al. Pros. EMS 14-th European Microscopy Congress. Springer, 2008, Ml, P. 91.
  64. C-D Lee, C. Park, H.J. Lee, S. K. Noh, K-S. Lee, and S-J. Park. Formation of self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots by low-temperature epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73. — No. 18. — P. 2615.
  65. S. Sanguinetti, K. Watanabe, T. Tateno M. Gurioli P. Werner, M. Wakaki, N. Koguchi. Modified droplet epitaxy GaAs/AlGaAs quantum dots grown on a variable thickness wetting layer. // J. Cryst. Growth. 2003. — Vol. 253. -P. 71.
  66. M. Yamagiwa, F. Minami and N. Koguchi. Single-Dot Spectroscopy of Low Density GaAs Quantum Dots Grown by Modified Droplet Epitaxy. // NSTI-Nanotech. 2004. — Vol. 3. — P. 445.
  67. T. Mano and N. Koguchi. J. Nanometer-scale GaAs ringstructure grown by droplet epitaxy. // of Cryst. Growth. 2005. — Vol. 278. — P. 108.
  68. Z.M. Wang, K. Holmes, Y.I. Mazur K. A Ramsey, G. J Salamo. Self-organization of quantum-dot pairs by high-temperature droplet epitaxy. // Nanoscale Res. Lett. 2006. — Vol. 1 — No. 1. — P. 57.
  69. M. Yamagiwa, T. Mano, T. Kuroda M. Yamagiwa, T. Mano, T. Kuroda, T. Tateno, K. Sakoda, G. Kido, and N. Koguchi. Self-assembly of laterally aligned GaAs quantum dot pairs. // Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 89. — P. 113 115.
  70. P. Alonso-Gonzalez, B. Alen, D. Faster Y. Gonzalez, L. Gonzalez, J. Martinez-Pastor. Formation and optical characterization of single InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes. // Appl. Phys. Lett. 2007. — Vol. 91. — P.163 104.
  71. T. Mano, T. Kuroda, S. Sanguinetti, T. Ochiai, T. Tateno, J. Kim, T. Noda, M. Kawabe, K. Sakoda, G. Kido, and N. Koguchi. Self-Assembly of Concentric Quantum Double Rings //Nano Lett. 2005. — Vol.5. — P. 425.
  72. K. A. Sablon, J. H. Lee, Zh. M. Wang, J. H. Shultz, and G. J. Salamo. Configuration control of quantum dot molecules by droplet epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 92 — P. 203 106.
  73. C. Zhao, Y.H. Chen, B. Xu. C. G. Tang, Z. G. Wang, and F. Ding. Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 92. — P. 63 122.
  74. C.Z. Tong, S.F. Yoon. Investigation of the fabrication mechanism of self-assembled GaAs quantum rings grown by droplet epitaxy. // Nanotechnology. -2008.-Vol. 19.-P. 365 604.
  75. J.H. Lee, Z.M. Wang, E.S. Kim, N.Y. Kim, S.H. Park, G.J. Salamo. Various Quantum- and Nano-Structures by III-V Droplet Epitaxy on GaAs Substrates. // Nanoscale Res. Lett. 2010. — Vol. 5 — P. 308.
  76. Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, 2-nd edition. 11 Springer Science+Business Media Inc. NY. 2006. — P. 1406.
  77. Y. S. Hiraoka, M. Mashita. Ab initio study on the reaction of trimethylgallium with hydrogen molecule. //. Cryst. Growth. 1994. — Vol. 136.1. P. 94.
  78. N.I. Buchan, C.A. Larsen, G.B. Stringfellow. Mass spectrometric studies of trimethylindium pyrolysis. // J. Cryst. Growth. 1988. — Vol. 92. — P.
  79. W.D. Nix, H. Gao. An Atomistic interpretation of interface stress. // Scripta Materialia. 1998. — Vol. 39 — No 12. — P. 1653.
  80. Frank F C, J H Van der Merwe. One-Dimensional Dislocations. I. Static Theory // Proc. Roy. Soc. London Ser. 1949. — Vol. 198 — P. 205.
  81. M. G. Jacko, S. J. W. Price. The pyrolysis of trimethyl gallium. // Can. J. Chem. 1963. — Vol. 41(6). — P. 1560.
  82. Matthews J W Accommodation of misfit across the interface between single-crystal films of various face-centred cubic metals. // J. Phil.Mag. 1966. -Vol. 13-P. 1207.
  83. W.A. Jesser, J. W. Matthews. Evidence for pseudomorphic growth of iron on copper. // J. Phil.Mag. 1967. — Vol. 15 — P. 1097.
  84. B.A. Joyce, D.D. Vvedensky, A.R. Avery, J.G. Belk, H.T. Dobbs, T.S. Jones. Nucleation mechanisms during MBE growth of lattice-matched and strained IIJ-V compound films.//Appl.Surf.Sci. 1998 — Vol. 130−132 — P.357.
  85. J.H. Lee, Zh.M. Wang, C J. Salamo. Observation of change in critical thickness of In droplet formation on GaAs (100). // J. of Phys. Condens. Matter. -2007.-Vol. 19.-P. 176 223.
  86. J. W. Matthews, J.L. Crawford. Accomodation of misfit between single-crystal films of nickel and copper. // Thin Solid Films. 1970. — Vol. 5 — P. 187.
  87. J. W. Matthews, S. Mader and T.B. Light. Accommodation of Misfit Across the Interface Between Crystals of Semiconducting Elements or Compounds. // J. Appl. Phys. 1970. — Vol. 41 — P. 3800.
  88. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations. // J. Cryst. Growth. 1974. — Vol. 27. — P. 118.
  89. J. W. Matthews. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals. // J. Vac. Sci. Technol. 1975. — Vol. 12. — P. 126.
  90. J. W. Matthews. «Epitaxial Growth», Part B // Academic Press. N-Y -1975.
  91. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee and S. Mader. Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin films. // Thin Solid Films. 1976. — Vol. 33-P. 253.
  92. E.A. Fitzgerald. Dislocations in strained-layer epitaxy: theory, experiment, and applications. // Mater. Sci. Reports. 1991. — Vol. 7 — P. 87.
  93. J.O. Indekeu. Introduction to wetting phenomena. Acta Physica Polonica B 1995. — Vol. 26. — P. 1065.
  94. R. People and J.C. Bean. Variation of the critical layer thickness with In content in strained InxGai-xAs-GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 51 — P. 752.
  95. S.M. Hu. Misfit dislocations and critical thickness of heteroepitaxy. // J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69 — P.7901.
  96. Dunstan D.J., Young S. and Dixon R.H. Geometrical theory of critical thickness and relaxation in strained-layer growth. // J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 70.-P. 3038.
  97. L.B. Freund. The driving force for glide of a threading dislocation in a strained epitaxial layer on a substrate. // J. Mech. Phys. Solids. 1990. — Vol. 38. -P. 657.
  98. J.R. Willis, S.C. Jain and R. Bullough. The energy of an array of dislocations: Implications for strain relaxation in semiconductor heterostructures. // Phil. Mag. A. 1990. Vol. 62. — P. 115.
  99. Atkinson A. and Jain S.C. The energy of finite systems of misfit dislocations in epitaxial strained layers. // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 72. — P. 2242.
  100. D.J. Dunstan. Strain and strain relaxation in semiconductors. // J. Mater. Sci: Materials in Electronics. 1997. — Vol. 8 — P.337.
  101. F. Birch. Finite Elastic Strain of Cubic Crystals. // Phys. Rev. 1947. -Vol. 71.-P. 809
  102. G.A. Wavter and D.R. Myers. Useful design relationships for the engineering of thermodynamically stable strained-layer structures. // J. Appl. Phys. 1989.-Vol. 65.-P. 4769.
  103. M.E. Twigg. Line tension of extended double kinks in thin films .// J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 68 — P. 5109.
  104. TJ. Gosling, R. Bullough S.C., Jain and J.R. Willis. Misfit dislocation distributions in capped (buried) strained semiconductor layers. // J. Appl. Phys. -1993.-Vol. 73.-P. 8267.
  105. J. Y. Tsao, B. W. Dodson, S. T. Picraux and D. M. Cornelison. Critical Stresses for SixGel-x Strained-Layer Plasticity. // Phys. Rev. Lett. 1987. -Vol. 59.-P. 2455.
  106. J. Y. Tsao, B. W. Dodson. Excess stress and the stability of strained heterostructures. // Appl. Phys. Lett. 1988. — Vol. 53. — P. 848.
  107. G.J. Whaley and P.I. Cohen. Relaxation of strained InGaAs during molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 57. — P. 144.
  108. H. Mariette. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski-Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems // C. R. Physique. 2005. — Vol.6. — P.23.
  109. D.Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledensov. Quantum Dot Heterostructures//Wiley 1999.
  110. C. Priester, M. Lannoo. Origin of self-assembled QDs in highly mismatched heteroepitaxy. //. Rev. Lett. 1995. — Vol.75. — P.93.
  111. J. Tersoff, R.M. Tromp. Shape Transition in growth of strained islands: spontaneous Formation of QW // Phys. Rev. Lett. 1993. — Vol.70. -P.2782.
  112. Landolt-Bornstein. Springer-Verlag. // Berlin, 1982, vol. III/17a and b
  113. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff, Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs// Physical Review B. 1994. — V.50 — P. 11 687.
  114. M. Berti, A.V. Drigo, G. Rossetto, G. Torso. Experimental evidence of two-dimensional-tree-dimensional transition in the Stranski-Krastanow coherent growth// J. Vac. Sci. Thechnol. В 1997. — V.15. — P.1795.
  115. U.W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg. Realtime control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy// J. Cryst. Growth. 2004. — V.272. — P. 143.
  116. D.W.G. White. The Surface Tensions of Indium and Cadmium. // Metallurgical Transaction. 1972. — Vol. 3. — P. 1933.
  117. Ah. H. Несмеянов. Давление пара химических элементов. // М.: Изд-во АН СССР. 1961. — С. 367.
  118. М. В. Panish, М. Ilegems. Phase equilibria in ternary III-V systems. // Prog. Sol. St. Chem. 1972. — Vol.7. — P. 39.
  119. M. Yildiz and S. Dost. Incorporation of surface tension to interface energy balance in crystal growth. Cryst. Res. Technol. 2007 — Vol. 42. — No. 9. -P. 914.
  120. J.S. Kim and N. Koguchi. Near room temperature DE for fabrication of InAs QDs. // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 85. — P. 5893.
  121. Т. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Imanaka, T. Takamasu, H. Fujioka, G. Kido, M. Oshima, N. Koguchi. InAs QDs growth by modified droplet epitaxy using sulfur termination. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 39. — P. 4580.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!