Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения
I. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ВЫБОРА И ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ {литературный обзор)1. 1. Классы матер (ал он и эволюция их применим* в термоэлектрической технике. Модель н (Ш10ннокоидеяафованш.ст пленок. Ы, 1. Иютропня, анизотропия и текстура. Опенка О’кпнтелыюстн прием но-преобразуюшего элемента при непрерывном излучении (««нал характеристика). 2- Исследование микроструктуры… Читать ещё >
Содержание
- ВВЕДЕНИЕ {предпосылки и постановка работы)
- I. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ВЫБОРА И ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ {литературный обзор)
- 1. 1. Классы матер (ал он и эволюция их применим* в термоэлектрической технике
- 1. 2. Термодапшмнка и модели тсржвлоггричсскнх преобразователей ]
- 1. 3. Измерения лазерного излечения и термоэлементы на поперечном термоэлектрическом эффекте
- 1. 4. Геометрический образ ашгзютрешю-текст>р"ой модели структуры пленочных материмо" и его экспериментальное определение
- Ы, 1. Иютропня, анизотропия и текстура
- 1. АХ Текстура формы крнсталлито".,
- I. АЗ. Крнствляографнчсаадтекоурв
1.4,4, Взаимосвязь пространственных распределений крксгзолофзфичсских направлений в полнкристадллческих планах с аксиальной тскетурой™ 53 2- МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЛЁНОЧНЫХ НАКЛОНИОКОНДЕНСИРОВДН-НЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (теоретическая чвел)
2.1. Особенности термоэде в анизотропных средах
2.2, Модель н (Ш10ннокоидеяафованш.ст пленок.
3. Оптимальные параметры микроструктуры наклонноконденсированкых пленок о комплексные критерии оптимизации эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании для шисломиокошдоенронниых пленок
2.4. Выбор и свойства материалов ПЛЕНОЧНЫХ наклонноксчиенсирован* кык териоэдектрапкеких преобразователей
2.5 Опенка О’кпнтелыюстн прием но-преобразуюшего элемента при непрерывном излучении (««нал характеристика)
2.6. Оценка формы выходного сигнала роли гребенчатости поверхности прмвмно-преобраауюшея" мемента при действии короткмшпудьсного юпучевп.,. .4. ."",
3. ФИЗИКО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАКЛОННОКОИДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК ВИСМУТА, ТЕЛЛУРА И ХРОМА (экспериментальная часть) ЗД. Матер шли, оборудование. методики получения ппЬнок и нх нкжнш".&bdquo-&bdquo-.,&bdquo-&bdquo-.&bdquo-&bdquo-&bdquo-&bdquo-.
3−2- Исследование микроструктуры н термоэлектрических свойств иахлоииоконасясирешаниьи пленок висмута .,""".
3,3- Исследование и сравнение полученных наклоиноконленснрованных пленок висмута, теллура и хрома.&bdquo-.
4. РЕАЛИЗАЦИЯ ПЛЕНОЧНЫХ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАИНЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В ВИДЕ КОНТРОЛЛЕРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ испытание опытных обратное в лабораторных и промышленных условии*)
4 1 Контроллеры лазерного иглучения и обоснование перспективности их разработки
42 Мятгрналоведческнй н, но 1"ггрупоре ко-тсх н ол оттески й аспект термохтектримесхнх преобразователей.4.(
4.3. Основные параметры созданных н исследованных пленочных наклон иоконяененрованных термоэлектрических преобразователей. I
ВЫВОД ы.^.&bdquo-.&bdquo-.&bdquo-.&bdquo-.&bdquo-.^—]
Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
(предпосылки н постановка работы).
выводы.
1. Сформулированы принципы выбора материалов для пленочных, наклошгокондснсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения Расширена номенклатура комплексных термоэлектрических критериев и привлечены новые материалы к разработкам нвкдоннокоилеиенроваииых пленок для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (не только полупроводники, но и полуметаллы н металлы),.
2. Достигнуто высокое быстродействие (молвя инерционность) пленочных иахлоннокондсясироваииых термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (уменьшаете* постоянная времени н время остывания, увеличивается предельная частота следования импульсов),.
3. Получены в наклоиноконденснро&анных пленках анизотропных (висмут и теллур) и изотропных (хром, никель н тантал) материалов «армированные текстуры».
11 а случае изотропных материалов удалось перейти к более высокой лучевой стойкости (устойчивости против агвжнгшшян н «прошелеиня»).
4. Реализованы макеты пленочных висмутовых, теллуровых н хромовых наклоннокондснснрованных термоэлектрических приёмно-прсобразуюидих элементов «пятачкового», «мсандроваго» к «спирального» типов в виде контроллеров лазерного излучения: в виде одноэлементных термоэлектрических преобразователей «пятачковойн топологии для импульсного излучения плотностью до 0,5 MBti’cm3 с мектросопротивлением, вольт-ватщоЛ чувствительностью, временем нарастания и спада сигнала соответственно- №. 30 кОм, 5 В/Вт. 0,2 и 10 мке (висмут}. 3. № кОы,.
12 В/Вт, 0,5 н 50 мке (теллур) и 0,5 1 кОм, 20 В, Вт. 0,2 и 5 мке (хром!
— 123- в я аде пленочного хромового 100-эдемснтного термоэлектрического преобразователя (хром) (подложка — пброкерит") для пространственно-временного контроля мощности лазерного излучения на плошали 60×60 (см) с размером элементов 4×4 (мм), нмеюших два независимых вывода на типовой разъбм и ьос (1ро из ею димоетио от зпшш к элементу в пределах ±10%.
5, Экспериментальное усредненное сравнение пленочных приемке* преобразующих элементов нз нак. зоннокоидеисиро ванных изотропных металлов иишя !! танти. за и анизотропного полупроводника антнмоинд кадмия (СУЗЬ) (толщина пленки I мкм на сновании из анодированного алюмиинево-магниевого сплввв толщиной 20 мм с защитным слоем диоксида кремния 30 мкм) показало, что при вольт-ваттной чувствительности 10 мВ-'кВт лучевая прочность может быть повышена с 0.4 кВт''см: до 2Л кВт/см2- для никеля (N1) — в 3 раза и для тантала (Та) — более, чем в 5 раз.
Список литературы
- Основные достижении научных школ-- М.: ИПЦ при МИТХТ, 2000. — 360 с. Юбилейный сборник к ЮО-летню Московской государственной академии тонкой химической технологии им MB Ломоносова.)
- Московский энергетический институт (технический университет), 1930−2005. 75 лет МЭИ. М.: Издательство МЭИ. 2005. — 456 с.
- Проблемы новых матер налои н технологий, Сб. статей / Под ред В. Н. Внгдоровнча. М: НПО ЦНИИ «Волна*, 1989 (Вып.!) — М.: Научно-производственное ассоциация, 1990(Вып.2), 1991 (Вып.З)н 1992(Вып.4).
- Иоффе, А Ф Полупроводниковые термоэлементы. М.-Л Изд-во АН СССР, 1960.-148 с.
- Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М -Л.: Иад-во АН СССР, 1957.492 с
- Иоффе А. Ф Стнльбаис Л-С-, Иорданнитанли ЕК, Ставицквя Т-С. Термозлектрнческое охлаждение М.-Л Изд-во АН СССР, 1956, — 108 с
- Фнстуль В. И Фшнка и хнмкя твердого тела. В 2-х тт M — Металлургия. 1995, — Т, 1. — 480с — Т.2-- 320с.
- И. Фистул* В. И, Введение, а физику полупроводников 2-е им. перераб, и доп. -М. Высшая школа» 352 с,
- Фнстудь В. И Новые материалы: Состояние Проблемы и перспективы -М-г МИСиС, 1995 N2 С
- Ормоит БФ Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников) Под ред ВМ Глазова 3-е изд, испр и доп. — М — Высшая школа, 1982.-528 с.
- Haft Дж Физические свойства кристаллов. М -- Мир, 1964. — 351 с.
- Карслоу Г, Еггр Д Теплопроводность твердых тел. М.: Наука. 1964, — 488 с.
- Гольцыаи Б. М-, Кудннов В. А., Смирнов И, А, Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе BijTej.—М.: Наука, 1972. 320 с.
- Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках / Пер, с англ А. Ф. Волкова. Е И, Гивлртнэова, П Н Петрова и В И. Покалякииа, под ред. ТД Шермергора. -M.J Мир, 1972. 436 с.
- В. Палаши* Л. С, Фукс МЛ., Косевнп ВМ Механизм образования и субструктура конденсированных плСнок, -М.: Наука, 1972. —318с.
- Паллтннк Л. С, Сорокин В. К, Основы пленочного полупроводникового материаловедения М. Энергия. 1973. — 296 с.
- Палатам* Л. С, Черсчской П, Г, Фукс МЯ, Поры в пленках. M. i Энергоиздят 1982.-21 б с
- Рыкалин Н, Н" Углов A.A., Кокора А. Н- Лазерная обработзев материалов -М-: Машиностроение, 1975. -296 е.
- Бабал-Эахряпнн A.A., Кузнецов Г Д. Химико-термическая обработка в тлеющем разряде. М: Атомизлат. 1975. — 175 с.
- БычковскиЯ Р. В. Контактные датчики температуры. М.: Метадтургня, 1978 — 240 с,
- Поскачей А-А-, Чаргаов Л~А. Пирометрия обзектов с изменяющейся излучательной способностью. М- Металлургия, 1978. — 200 с,
- Современная кристаллографии: В 4-х томах / Б К. Вайнцггейи. Чернов, А А., Шувалов Л. А, М Наука, I979-I9JH ТМ979 — 384 е.- Т2. 1979, — 360 с, — ТЗ. ?980. -408 с, Т4.1981.-496 с.
- Линсвег Ф. Измерение температур в технике / Пер. с нем. Т. И Киселевой и В, Л, Федоровича, пол ред Л. А, Чарихова. М, — Металлургия. 1980, — 544 с.
- Бабад-Захряшш, А А., Кузнецов Г Д. Текстурированные высокотемпературные покрытия. -М-. Атомнздат, I960, Пбс
- Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б. Я. Бердяев, P.A. Валетов, М, А Винокур и др, Под ред А. Ф. Котзока. М: Радио н связь. 1981.-286 с.
- Термодинамика и материаловедение полупроводников I Под ред. &-.М. Глазова. М: Металлургия, 1982. — 392 с.
- Тонкие плёнки: Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж, Поута, К. Ту, Дж. МсЯера М.- Мнр, 1982. — 576 с.
- Симонов Б.М., Заводян AB, Грушевский A.M. Конструкторско-технологические аспекты разработки интегральных схем и михросборок М. г МИЭТ, ! 99″. -167 с,
- Ьабад-Захряпнн АА., Кузнецов ГД Радиационно-стимулированная химико-термическая обработка М.- Атомиздат, 1982, — 96 с.
- Кириллов А.И., Морсков В-Ф. Устинов Н. Д. Дозиметрия лазерного излучения. М Радио и сит, 1983. — 191 с.
- Мощные газоразрядные COj -лазеры н их применение в технологи / Г, А Абильсинтов, Е П. Велихов, B.C. Голубеев и др, М — Наука, 1984 — I Об с.
- Гольимзн Б. М, Дашсвский З. М, Кайдаиов В. И, Коломоен ЕВ. Плеяочвые термоэлементы физика и применение f Под ред Н С Лнлоренко. М.: Наука, 1985 232*.
- Методы и срсасгва измерений параметров лазерного излучения I Под ред А. А Абгвряна М- ВНИИФТРИ, 1985. — 142 с.
- Методы точных измерений лазерного излучения / Под ред З М. Нестеренко. -м ВНИИФТРИ, 1985- 142 с.
- Куннн Т Температура / Пер с англ. под ред Д. Н Астрова. М: Мир. 1985,448 с.
- Углов АА., АнншпИК* Л.M., Кузнецов С. Е. АдгезноЯНая способность ПЛЕНОК. M — Радио и сиять. 19В7 — 104 с.
- Технологии полупроводниковых приборов it изделий микроэлектроники: В 10-ти винтах. Кн.6. Нанесение пленок в вакууме ! Мююйчев B E M. Высшая школа, 1989 — IЮс,
- Анатычук Л .И., Сененюк В А, Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов. Черновцы Прут, 1992, — 264 с,
- Датчики измерительных систем- В 2 кн. ! Ж. Am и др.- Пер. с фр&bdquo- Под ред А, С, Обухова. М: Мир. 1992. — Кн. 1. 480 с — Ки 2,424 е.
- МнльаидскИй М, Г, Чдлдышев В В, Малоразмерные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов И Физика и техника полупроведнихов, 199I. Т.32. Jfe5. СЗ13−522.
- Грибов Б.Г., Логинова Л.В, Румянцева С М Проблемы магериаюведеиня в создании нового поколения приборов электронной техники // Перспективные материалы. 1995. № 3. C.3I-43
- Самойлояич А, Г Термодинамика и статистическая физика. M Гостехиздат. 1955. — 3S8 с,
- Самойдович А-Г-, Коренблит ЛЛ, Современное состояние теории термоэлектрических и термомагинтнык явлений в полупроводниках И Успехи физических наук. 1953, Т.49.ЛЙ. С.243−272.
- Самойлович, А Г&bdquo- Слшгченко В H Исследование кпд анизотропных элементов Н Физика и техника полупроводников 1975, Т 9, № 10. С, 1897−1901.
- Осиное Э.В. Твердотельная криогеника.- К, — Нвутова думка, 1977 234 с.
- Мойжес Б.Я. Влияние температурной зависимости параметров материалов на эффективность термоэлектрических генераторов и холодильников Н Физика твердого тела. I960.Т.2. A4. С.728−737.
- Бурпггейи АН Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств. -М, Физматпп. 1962. 136 с.
- Иорданишвилн E, K. Термоэлектричскне источники питания, M: Сое. радио, 196S. -184 c.
- Охотни A.C., Ефремов A.A., Охотин B.C., Пушкарский А, С, Термомсктричеаак генераторы М.: Атомиадвт, 1971.-288 с, 5S. Материапы ¦ приборостроении и автоматике: Справочник i Пол ред. Ю М Пятина. М. Машиностроение,. 969- - 632 с.
- Справочник по электротехническим материалам- В 3-х томах ! Под ред Ю. В. Корицкого, В. В Пасынкова, Е М. Тареева, Изд. 2-е, нса. и доп. M Энергия, 1974 -Т. 584с. -Т-2,616с.- 1976. -Т, 3 8%с
- Таблицы физических величин Справочник /Под ред. И. К. Кихонна M — Атониздат,. 976, -1006 с,
- Mail сел Л, Глэнг Р. Технология тонких плёнок: Справочник: В 2-х томах I Пер. с англ под ред М И. Ешясова, Г Г Смодко Nt- Сов. Радио, 1977. — Т.1, 662 е.-Т2,768 с.
- Инженерный справочник по космической технике М-г Воениздат, 1977,430 с.
- БычковекиЙ PB., Внгдорович В H, Колесник Е. А., Моспаиченко P.C., Ухлнно" ГЛ., Шварц Б А, Приборы для измерения температуры контактным способом: Справочник / Под обшей ред. Р-В Бычковского. Львов- Вища школа 1978. — 20S с,
- Лыков AB Тепломассообмен: Справочник, M г Энергия 197I. — 480 с,
- Крикунов Л. З, Справочник по основам инфракрасной техники М.: Сов. Радио, l97g.-40Qc.
- Анатычук Л. И Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник. Киев: Hay*, думка ?979. 768 с.
- Готра 3JQ. Технолопся мнкроэлектроииык устройств: Справочник. М.: Радио и связь. 1991. — 528,
- Смита КДж. Металлы: Справочник t Пер, с англ. под ред. С. П Глазунова. Изд. 5-е. M.: Металлургия, 1980. — 447 с.
- Охотин A.C., Боровиков Р. П., Нечаева ТВ-. Пушкарский А-С. Теплопроводность твердых тел- Справочник I Под ред А, С, Охотниа M Энергаюмнздат, 1984 — 320 с.
- Температурные измерения- Справочник / Под ред 0, А Геращенко. Киев: Наукова думка. 1989. — 702 С
- Рыкалин Н. Н. Углов А.А., Зуев 11 В, Кокора А.Н. Лазерная и электронно-яучемя обработка материалов: Справотаих. М. Машиностроение, 1985- - 496 с.
- Справочник по лазерной технике / Пер с нем. Под ред. AJI. Нвияртови’и. -М: Эиергонздат, 1991 544 с.
- Абняьсинтои ГЛ., Голубев В, С., Гоитарь В, Г- н др. Теио. югическис лазеры: Справочник: В 2-хт, ЛТодобш, ред. Г, А. Абильскитовз, М.: Машиностроение, 1991. ¦ Т1, 432 с,-Т.2−544 с.
- Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. Б. А. Введенский, S M Вул. В 5-ти томах М. Соа. Энциклопедия, 1962- Т.2, С 83−84
- Электроника: Энциклопедический словарь i Гл. ред. В Г Колесников М.: Со". Энциклопедия, 1991 — 68″ с.
- Физическая энциклопедия 1 Гл. ред. AJvL Прохоров В 4-х томах М.: Сов. Энциклопедия, 1992−1998 Репринтное издание 1983 года.).
- Физика Больиюй энцикуимкдкчеекнП словарь / Гл. ред. А. М. Прохоров. -4-е изд. М: Большая Российская энциклопедия, 1999 — 944 с. Репринтное издание [983 года,.
- Клримбсков М, А Физнко-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения. дясс. д.т.н. М, 2003 396 с.
- Геращенко О.А. Теоретические и прикладные вопросы тсплометрни, дисс. дт. н Киев, 1969--318 с,
- Сажэнш С, А ТепломстричеСкие приборы для измерения лучистой энергии, диос, кт. н Киев. 1978. 172 с. 8! Вигдоровнч В. Н. О чистом веществе/'' Пр1Грода. I960./69. С 88−90
- Вигдоровнч В. Н Получеиз" химических веществ высокой чистоты (обзор иностранных патентов), М: ЦНИИПН. 1964.-28 с.
- Вигдоровнч В.Н. Очистка металлов и полупроводников крнсталлщаиней -М.: Металлургия. 1969. 296 с
- Сахаров Б.А., Вигдоровнч ВН., Маслов ВН., Нашелъский АЯ-. Соколов ЕБ&bdquo- Фистуль ВИ, Шшаков ЮМ. металлургия н технология полупроводниковых материалов / Под ред. Б, А Сахарова М: Металлургия, 1972 — 544 с
- Вигдоровнч В Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М Металлур1ия, 1974.-200 с
- Вигдоровнч В Н., Углов АЛ Температурное поле и теплопередача при вырапшваини кристаллов из расплава по методу Чохральсхого H Электротермия (ВНИИЭМ) 1966 Вып.52. С 55−5?,
- Сожни Н. П, Внгдорович В H, Дулькина P.A., Нашельскнй А. Я Фнзико-химические особенности поведение примесей при направленно! кристалл)! млн н висмута .'7 Известия АН СССР, Неорганические материалы 1%5, Jfri С. П258−1266
- Шулешко Г. И., Вигдоровнч В.Н К вопросу o’ihctkh теллура кристаллизационными методами// Цветные металлы. (968, Jtet2, С.64−67.
- Внгдорович В Н., Самсон Ю У. Шавгз В. А Электрохимические методы рафинирования висмута- M ЦНИИ «Цветмстннформаиия». 1969 — 20 с
- Внгдорович В Н., Вольцяи А. Е., Шулсптко Г И. Зонная очистка в активной газовой среде И Изгестия АН СССР Неорганические материалы, 1970, Т-6, ¡-Ы C. JW1−1M6.
- Шлвга В. А, Внгдорович В. Н, Самсон Ю. У. Об анодном рафинировании висмута г'7 Известив АН СССР. Металлы, 1970. № 5. С. 101−109.
- Внгдорович В. Н, Селин A.A. Фншко-химическне особенности поведения примесей в CdTe 11 Известия АН СССР. Неорганические матер) шли. 1971. Т.7, ifell. С, 1918−1921.
- Внгдорович ВН. Ухлино" ГА, Долниская НЮ., Мормчеа В. В Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма iI Известия АН СССР Металлы 1973, № 6 С 57−63,
- Внгдоровнч В Н., Ухлннов ГЛ., Каримов Ф. Ч Структура н поперечная термоэде косонплыленных пленок хрома Н Электронная техника Материалы 1985, выл.6(205). С.75−77
- Ухлннов ГА., Косаковская 3-Я-, Внгдоровнч В.Н- Структура и термоэлектрические свойства косонапылеиных пдйиок висмута И Известия АН СССР-Неоргаинчсские материалы- 1986 Т.22. № 6- С.938−941
- Внгдорович ВН, Ухлннов Г А., Каримов Ф. Ч. Краснов Д.М. Природа анизотропного термоэлектрического эффекта в нахлоннокондснснрованных пленках И Известил АН СССР. Неорганические материалы 1987, Т.23. № 7. С Л081−1085.
- Виглоровнч В Н., Якашвилн Д В Исследования в области получения кристаллических пленок висмута / Сб. науч тр, по проблемам микроэлектроники Химическая серия, ВыпХШ МИ Л 1972. С112−123.
- Внгдорович В Н. Ухлннов ГА- Якашвилн Д, В, Зарадышеобразование при конденсации плеиох висмута на кристаллах NaCl D Физика твердого тела. 1973. T-I5. Xs6. С. 1888−1891,
- Внгдоровнч В Н., Ухлинов Г. А., Якашвилн ДВ. Структурные особенности пленок висмута, конденсировалиьк на NaCl из паровой фазы в вакууме // Известия высших учебных заведений. Физика 1973. № 11. СЛ15−117
- Полубояринов АЛ"., Внглорович В Н., Заводян А-В. Газеев Н И. Опыт организации производства тонкоплёночных tTfC специального применения для аналитического приборостроения // Приборы и системы управления 1980, № 11 С.36−37.
- Бсссонов В. А, Витдорович ВН. Легирование проводящего плёночного материя." БрНМаТ 5−2-0.1 с целью повышения его термоетабильности / В «(: Новые материалы для микроэлектроники Киев-Фрунзе: Институт проблем материаловедения АН УССР. S983. С, 83−87
- ИЗ Бочлар IIP, Внгдоровнч В, H, Леонова Н, П,. Лысова ЕЛ. Электросопротивление сшивов систем Qi-Mn-Ge. Cu-Mn-Sn и Cu-Oe-Sn И Матерналоведсшк и термическая обработка металлов, 1984. № 2 С, 61−64
- Иб Вигдоровнч В. Н, Попов ВН. Методика изучения закономерностей формирования структуры и изменения свойств пленок многокомпонентных металлических сплавов при их вакуумной конденсация НЗаводская лаборатория. 1976. Т42 № 12, С1475−147″,
- Бессонов В. А. Внгдоровнч В.Н. Струггура и напряжения фракционированных пленок сплава Ca-Ni-Mn-Ti // Известия АН СССР. Металлы. 19Я4. № 5. С, 212−214.
- Арсшкни A.A., Афанасьев A.A., Вигдоровнч В.Н, Пинчук В. Н. Комбинирование однородных н фракционированных материалов в термически нанесенных в вакууме проводящих пленочных структурах И Доклады академии Наук. 1985, TJ80. № 3. С. б! 0−613,
- Бессонов В. А, Вигдоровнч В, Н. Адгезия фракционированных пленок сплава Cu’Ni-Mn-Tt к ситалловым подложкам Н Известия АН СССР Мегашты 1985. № 1 CI85-IS7
- Вигдоровнч ВЛ Ухлкнов ГА., Шварц Б. А., Андронова Ё-.Н Структура н злектрнческие свойства конденсированных пленок сплавов висмута И Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1985. T.2I № 6. С.905−909.
- Бондарчук IIФ, Внгдорович В. Н. Ухдннов Г. Л. Аксиальная текстура в металлах: аналитическое описание и расчет свойств // Заводская лаборатория. 1988 №, С70−72,
- Пилот M M, Самойлов!» AT-, Лиатичук Л И. Термоэлемент Ас. СССР № 230 915, кя, H Ol L37/00. эаяад 14.02,63, опубл. 15.11 68. БИ Ж 35.
- Самойловнч А. Г, Пилат ИМ, Аиатычук Л И- Термоэлектрический генератор, состоящий и" монокристалл* анизотропного мгтииоиила кадмня. Патент США № 353 000″, кп. 136−200, заявл. 2601 67, онубл. 22.09,70,.
- Пилат И Ai, Саыойлоьич АХ., Лиатичук ЛИ Анизотропный термоэлемент. Патент ФРГ J& 2 000 088. кл.21 В 21!%, заявл, 02−01.70, опубл. 29.11,73.
- Fl плат ИИ, Самойяовнч А. Г., Анатычук Л. И. Способ генерации электродвижущей силы. Патент Японии 46−43 422, кл 99(5)032, эаявл. 25.10,67, опубл. 5−46−1086 <1971 г.),
- Аиатычук Л И., Богомолов ПЛ. КупчинскнЙ О.И. н др. Анизотропный раднаадюнный элемент// Оптико-механическая промышленность. 1971. Nt). C.27-I9
- Сиарский A.A., Падьтн A.M. Ащеулов А.А- Анизотропные термоэлементы. // Физика и техника полупроводников. I997. TJ1. |. С.128Ы298.
- Якатвилн ДВ-, Колесников В. П, Вигдоровнч В Н. Ухдииов ГЛ. Пленочные висмут-сурьмяные термобатареи для радиационной пирометрии Н Приборы н техника эксперимента. 1976. № 6. С. 207−208.
- Якашвили ДВ, Вигдоровнч В. Н, Ухлпнов Г. А Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффицногга термоэде пленок висмута //Известия высших учебных заведений Физика. |975,Jfc6. CI23-I24.
- Виглорович ВН., Ухлинов ГЛ. Чнботару Н, И. Расчет пленочных термобатарей // Сб науч тр по проблемам микроэлектроники: Технология спецматериалов интегральных схем -М: МИЭТ, 1976, Вып. XXVHL С235−240.
- Якашвнлн ДВ, Вигдорович В. Н-, Ухлинов ГЛ. Структура в термоэлектрические свойства пленок твердых растворов висмут-сурьма // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники: Технология спецматериалов интегральных схем. -М.- МИЭТ" 1976 Выл XXIV С.12Ы26.
- Якашвнлн Д В., Вигдорович В. Н, Ухлинов ГЛ. Структура и термоэлектрические свойства пленок висмута на кристаллах NaCI и слюды H Сб. науч тр. по проблемам микроэлектроники: Технология слепматериалов интегральных схем M: МИЭТ. 1976- Вьш XXIV, C. I27-I3I.
- Виглорович В.Н., Ухлинов Г. А- Чнботару НИ- Пленочные термоэлектрические батареи для измерительной техники КС // Тезисы докл.
- Vm Всесоюзной конференции по микроэлектронике (14−16 марта S978 г.),-M.: МИЭТ, 197 $. С. 189.
- Вигдорович ВН., У кликов ГА Чнботару НИ, Шавга ВА, Низкотемпературные исследования конденсированных плёнок теллура КС Н Тезисы докл. УШ Всесоюзной конференции по микроэлектроиике (14−16 марта 1978 г,). М.: МИЭТ, 1978, С, 188
- Вигдорович ВН. Ухлинов ГА., Чнботару Н-И. О термической ширине запрещенной зоны в тонких пленках теллура ,'/' Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. № 9. С. 181 б-1820.
- Вигдорович В. Н-, Ухлинов Г. А., Чнботару H.H. Структура и электрофизические свойства хонлененрокаиных плёнок теллура // Известия АН СССР, Неорганические материалы. 1979. Т. 15- ifel. С .49−55.
- Ухлннов ГА, Гаранин В. П, Вигдорович В Н. Исследование многослойных тонкопл елочных структур висмут-теллур tt Физика к техника полупроводников 1979. Т. 13. № 12. С.2323−2326.
- Вигдорович В Н., Гаранин В. П., Ухлинов ГА. К методике измерения теплопроводности тонких плёнок II Заводская лаборатория 1979. Т.45. Ife5. С.4Э5−437.
- Фрумкин В. Д, Косаковская ЗЛ., Ухлннов Г. А. Вигдорович В Н. Миогоэлементиый бесконтактный термопреобразователь. A.c. № 716 ООб от 9 марта 1979 г. (и. G Ol R 19/24) — опубликовано: БИ Xs6, СШ.
- Ухлинов Г, А" Колесник Е. А., Вигдоровнч В, Н. Исследование температуры плавления тонких пленок как метод определения и* упругой энергии D Заводская лаборатория 1982. TAS, № 12 С, 38−40.
- Внгдорович В-Н-, Лебедев Ю. П, Ухлинов Г. А- Структура н электрофизические свойства тонки* пленок германия на неориентированных подложках ! В кн. Полупроводниковые материалы -М.: МНЭТ. 1983- С 67−7).
- Ctys"a Р. Popeecu J M Infrared photovoltaic radiation detector with anisotropic lelJurum film //Opt Communications 1970. V2. N2. P 81−83
- Ctura A J. Popescu J.M. Stanein G.A. Study of the photovoltaic detector with thin anisotropic telliHtim film //rev Roum Phys, 1973. V, 18 N1. P. 119−121.
- Takahaslii M., Кои F. Fado О. The mechanism of the photovoltaic effect of Ge film obtiqtiely deposited in vacuum //Japan. J. Appl. Phys. 1968, V7. N12. P-1446−1452,
- Pancovc 1,1, The anomalous photovoltaic effect // Phys, Stat, Sol. 1980. V, a6I. NIP 127−132 163, Dietmar G. Dcmber-effect und pho’on-drag in anisotropen Halbleitern -Wie Z. Tcchft, Univ. Dresden 1984. T.33- NrZ. S45−19.
- Gutfcld R.J. Laser-induced anisotropic thermoetectric voltages in thin (ilnis Ii Appl Phys Lett. 1973, V.23. N4, P 206−208,
- Gutfeld R J, Caswell H L Enhancement of transverse thermoelectric voltage in thin metallic films//App). Phys- Left 1974. V.25, N12, P 691−693
- Тшцп EE., Gutfcld RJ. Light dctcctor for nanosecond-dc pulse width range Патент США We 385П74, кл. 250−336, эаявл 04.05.73, опубл, 26.11,7*.
- Ухлинов ГА, Косаковская ЗЯ, Карачун В. Н. Пленочные термоэлектрические приемники излучения // В ки: Методы и средства измеренияпараметров устройств квантовой меетроявкн. Труди ВНИИФТРИ. Вып 39(69) M ВНИИФТРИ, 1978. С.41−46,
- Косакевская 3 Я, Ппнхнна Г.Ё-, Нестерснко ВМ., Ухлинов Г, Л- Новые тепловые преобразователи импульсного оптического излучения // В ки Импульсная фотометрия. 1983. Вып.6.С, 118−120.
- Ухлинов Г. А., Каримов Ф.Ч, Резников Б. Л Пленочные анизотропные термоэлементы // Электронная промышленность-1985. Вып-2(H) С-8-Ю
- Ухлинов Г. А, Марков ФВ. Каримов Ф. Ч., Резников БЛ. Пленочные анизотропные датчики излучение// Опт,-мех Промышленность. 1985. Л'<6. С.50−52.
- Грановский А. Б-, Яковлев В, А Неохлаждоемые приемники лазерного GOj — излучении / В км: Вопросы методологического обеспечения измерительных параметров технологических лазеров M: ВНИИФТРИ, 1984, C.5-IS.
- Андреев В.И., Бендинхкй A.A., Грановский AB., Рукман Г. И., Степанов Б.M Тсрмоэлсктродвижушал сила остров ко в ых металлических пленок И Физика металлов н металловедение 1983. T. S5. Выи.2. С, 407−409.
- Андреев В.И., Грановский, А Б, Яковлев В.А Малоннерцноииый неохлазкдаемый преобразователь ПК-излучения на основе косонапылфннык пленок висмута И В кн.: Методы и средства измерения параметров лазерного излучения. М.: ВНИИФТРИ, I9S5.C.49−54.
- Андреев В. И, Грановский А. Б., Яковлев В. А. МалоннершгоягшА иеохдаждоемый приемник импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1985. ТД2 № 6. С 1295—1297
- Андреев В.И., Грановский А-Б., Зубец ко В В., Степанишев С. В-, Яковлев В. А. Анизотропия терыо-ЭДС н микроструктура косонапыленных пленок висмута U Физика металлов к металловедение. 1986, Т 61, № 3. С 532−53 5,
- Andrcev VJ., Rukman o l. Low-Inertia IR Laser Radialion Receiver// Journal of Soviet Laser Research. ?986. V.7. N|. P. 14−15.
- Вигдорович ВН-, Каримбеков М. А- Выявление структуры на металлографических шлифах при воздействии озонированным воздухом И Заводская лаборатория. 1994 Т 60 № 1. С. 27−28.
- Вигдоровнч В. Н-, Каримбеков М. А. Нлклонноконденскро ванные пленочные материалы как накдоияотехстурнрованиные термоэлектрические преобразователи измерительного назначения И Конденсированные среды н межфазные границы. 2001. Т3.№−1 С 5−13,91 и 95.
- Каримбеков M А. Вигдоровнч В. Н. Аналитическое описание анизотропии свойств пленочных полнкрнсталлическнх материалов с различной текстурой ft Известия высших учебных заведений Материалы электронной техники 2001 Ni 1. С.70−75 н 78
- Внгдоровш! В Н, Каримбеков М. А., Садыков Э. С Совершенствование зоидоюго метода контроля электросопротивления пленочных материалов it Прикладная фJпикл. 200 ! № 1. С- 24−30.
- Каримбеков MA Поперечная термо-эде. в наклонно конденсированных пленках металлов, полуметаллов, полупроводников Модель и реализация /! Вестник Российской академии естественных наук, Санкт-Петербург. 2001 Т5, № 1- С.45−53
- Внгдорович В.Н. Каримбеков М.А Приемы легирования пленочных материалов н структур для термоэлектрических преобразователей // Прикладная физика. 3002. № 2. С. 83−92
- Виглорович В-И. Кврнмбеков М. А. Технологические н конструкторские пленки и включения оксидов // В кн: Материалы IV Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (г. Ивано-Франковск, 3−8 мая 1993 г). В 2-х томах. -I993 Т. t. C, 28,
- Виглорович ВН., Каримбеков М.А- Выбор пленочных термоэлектрических материалов // В ки.: Перспективные материалы, технолотин и конструкции, С. 15−18 I Под ред S. B Стаиуры. Красноярск- CAA, 199″. Вып. 4. — 790с.
- Внгдорович В Н., Каримбеков МЛ Модель, материалы и параметры нахяоииетехстуриромнных термопреобраэователей измерщельиого назначения !) Перспективные материалы, 2001, Nil. С, 5−13,
- Внгдорович В. Н. Каримбеков М.А. Выбор, разработка и совершенствование материалов термоэлектрических преобразователей /! Известия высших учебных заведений. Электроника- 2002. Ks 2. С 23−28,
- Виглорович В Н, Каримбеков М. А. Графа-аналитическое определение пригодности и предпочтительности материалов для термоэлектрических преобразователей измерительного назначения И Известия высших учебных заведений. Электроника, 2002. >h 3. С.3−11.
- Вигдоровпч В. Н, Карнмбеков M.А., Гогохия В Г Плёночный преобразователь для измерения давления // & кап Допоыд! VU МзжиародияТ конференш! «Физика i технолопя тонких шивок». 1ваио-Франмвс*. 1999, С. 32−33,
- Карнмбеков МЛ. Термопреоброзоватедь лазерного излучения на ипхлонноконденсированных пленочных материапах // Прикладная физика 2001 Xs 1. С 31−40.
- Внгдорович В H, Карнмбеков M A Накдонноконденеироваиные пленки висмута, теллура н хрома В кн Материалы X Национальной конференции по росту iqsKratTc"4flvPK-2CCl2″ (г. Москва 24−29 ноября 2002 г), — М: ПК РАН, 2002 С 534.
- Опарнчев А. Б, Карнмбеков МЛ- Термоэлектрическая эффективность пленочных наклоннокондснснрованиых преобразователей из изотропных и анизотропных материалов. // Прикладная физика 2005. № 3. С- 109−112.
- Опарнчев, А Б, Карныбеков M A. Разработка контроллера для измерения температуры, в том числе температуры поверхности. И Прикладная физика 2005, №−4,С. 115−120.
- Опарнчев, А Б. Опарнчев ЕБ., Внгдорович В. Н" Карнмбеков М. А., Марков Ф. В Выбор материалов и разработка технологии для пленочных преобразователей. // Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России, -2005. Л" 3- С. 40−47
- Патент РФ Ni 37 414 (МПК1 О 0. J 5/12). Приемник излучения. I1 Опарнчев А. Б., Вигдорович В. Н, Каримбеков МЛ, Матюнин В. М, Марков Ф.8, Заявлен 30 декабри 2U03 г Опубликован бюллетень «Изобретения и полезные модели» Т. 3. «П. С. 656. — 20 апреля 2004 г
- Каримбеков М.А., Коримо* В-А, Теплоэлектричсскнй преобразователь в пленочном исполнении И В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред. В. Н Внгдоров"гча. M. Научно-производственная ассоциация, 1992. Вып. 4, С. 14−24.
- Бычковский Р.В. Вигдорович В Н. Каримбеков M-А. Пленочные резисторы для электронных измерительных приборов ft Приборы н техника эксперимента- 1994 At 1С-194−196.
- Бычковский P B. Вигдорович В. Н, Каримбеков М. А Манометрический термопариьШ преобразователь в пленочном исполнении t! Приборы к техника эксперимента, 1994 № 2. С. 170 174,
- Бычковский Р-В-, Вигдорович В, H, Каримбеков М. А, Пленочные резисторы для вторичных электронных измерительных приборов If Приборы и системы управления. 1994. JA 2. С. 38.
- Бычковскнй Р.В., Вигдорович В. Н. Каримбеков M Д. Пленочный аналог манометрического термопарного преобразователя ff Приборы и системы управления. 1994 № 5. С. 46.
- Вигдорович В, Н» Каримбеков MA., Корнилов В А. Разработка пленочных термоэлектрических преобразователей км средств технологического контроля и измерения Шатура: Эконнформсистсма, 1995.-52 с.
- Вигдорович В-Н-, Каримбеков MA. Контроллер температуры с плёночными элементами Н Приборы il техника эксперимента. 2001. № 5- С, 129−131
- Сиро nui Ю. И. Шаскшиская МЛ Основы кристаллофизики 2-" ни, перерай. М-: Наука, 1979. — 640″.
- Шермергор Т.Д. Теория упругости микронсоднородных сред М : Наука. 1977.-400 с
- У ханш" Г. А. Косакопская ЗЯ Ориеитлцнонио-статистичсская модель теотурармаятк образцов металлов с одноосной симметрией (! Финта металлов и металловедение. 1980. Т.49. Вып.4. С, 797−803.
- У кликов Г. А, Косаковская ЗЯ Электропроводность поднкристаштчсских образцов металлов с формразмерной текстурой // Физика металлов и металловедение. 1983 Т, 55. ВылЛ С 61−64
- Ухлннов ГЛ. Лебедев Ю П. Распределение ортогональных кристаллографических направлений в паликристаллнчкких материалах с аксиадьной текстурой И Физика металлов и металловедение 1984, Т.58, Вын.2. С, 335−359
- Шермергор ТД. Яковлев В. Б. Концентрация механических и электрических полей на поверхности эллипсоидального пьезозлектроиного включения ц изотропной матрице И В сб : Теоретические основа функциональной электроники. С 77−86. Ми: МИЭТ, 1990 — 182 с
- Вальтер К. Иванкнна Т. И., Никитин Л И н др. И Доклады Академии наук СССР. 1991. Т. 319 № г С 310−314.
- SheTmergor T.D., Yakovjev V.B. ELlectroelastic field’s conscnttation on elluptic parc in textured media (/ Texture and Microtfructwes 1996, NI P 237−244
- Васильев В A, Miohh Б.С., Пашков И. Н. и др. Высокосхоростиое затвердевание расплава (теория, технология, материалы). М-' СП Интернет инжиниринг, 1998. — 400 с.
- Fuche К. The eonductivny of Uun metallic films aecording ю the electron theory of metals II Proc. Cambr. Phitt.Soc. 1938 V 34 N1 P 1 OO-l 08.
- Mayadas A. F, Sbaukes M Janak J.F. Electfieal tesiMiviiy model for polycrystalline films: the case of spcculor refleclion ai cxtemal surfaces. Appl, Phy? Lctt. 1969. V I4. N11, P. 345−347.
- Warkusi F. Grain boundary electron scattering in the total film conduction model 1979. V.62 N2- P.247−253.
- Cottey A A, The electron conductivity of lhin metal films with very smooih surface if Thin Solid Films. 1968. V. N4. P.297−307.
- Tellier С R. Tosscr A J, Approximate expression for electrical resistivity of thin polycry stall inc metallic films И llun Solid Films. 1976. V.33, N2. P. I 19−126.
- Tellier CR. Pichard CR-. Tosscr A J. Statistical model of electrical conduction in polycrystaHirw metals U Thin Solid Films. 1979. V.6L N3. P349−354
- Pichard CJt, Tdlicr C R., Tosscr A, J. A three-dimensional model for grain boundary resistivity in metal film t! Thin Solid Films 1979 V.62. N2, P, 189−194.
- Tellier C.R. Pichard C.R. Tosscr A.J. Approximate expressions for the product of ihe rcststivity with «its TCR in very thin polycry"a31ine films H J. Phys F. Metal Phys, 1979. V.9. N12. P .2377−2380,
- TelUef CR, Pichard СИ, Vatamanyuk V. L Tosscr A J, Electrical conductivity of tlun metal films grown in a columnar fashion .'/ J Mater Sci. Lett. 1983. V.2. N10-P 579−582.
- Pichard C.R., Bedd3 M. Tosscr A.J. Limits for the isotropy of Ihe Mayadss-Shaukes conduction model If J Mater. Sci. ten. 1984. V.3- N8. P, 743−744,
- Tellier C. R, Review effect of detect stucturc on the electrical conduction mechanism in metallic tlun films Hi. Mater, Scl, 1985- V.20. N6. P. 1901−1919.
- Pichard C.R., Bedda M» Vatamanyuk V. l, Tosser A.J., Tidier CJL Alternative analytical forms of the Fuchs-Soudheiiner function II J. Mala. Sci. 1985. V.20. N1! P 4185−4201.
- Благт Ф Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах. m.-J1.: Физматтнз, 1963. — 224 с,
- Бородки на М.М., Спектор ЭЛ. Ренгсноструктурный анализ текстуры металлов и сплавов М, — Металлургия, 19JI. — 272 с,
- Адамееку PA. t Гедад ГШ. Мнткэдюв Е. А, Аинэотрошмг физических свойств металлов М.- Металлургия, 1985, — 136 с.
- Новые методы исследования текстуры поликристалл кческих материалов 11 Сб. статей Пер. с англ. под ред И И Пяярева и Т И. Савелово". М. Металлургия, 1955. — 312 с
- Япке Е-, Эмде Ф, Леш Ф. Специальные функции Формулы, графики, таблицы М: Наука 1977. -344 с.
- Харламов А, Г Измерение теплопроводности твердых тел. М.: А точил лат. 197Э-- 152 с.
- Абросимов В.М., Егоров ВН. Карандыпкв В.А, Крикни МА, Температурные зависимости кинетических коэффициентов пленок висмута / Труды Моек физ-техн. ин-та. Серия Радиотехника и электроника. 1973, Т, 18. № 7. С. 1449−1458,
- СЬоргп К Ь, ет Кас1з ТЬепла! сопс^сцупу оГ Ына^из теЫ (Уйм ш ти^ауея Ятиспита^ 1. Арр1, РЬу51 974. У, 45. N4. Р 1923−1925
- Дистлер Г И Кристаллизация как матричный рспликационный процесс IIВ кн: Рост кристаллов. Ереван: ЕрГУ. 1975. Т. 11, С-47−64,
- Внгдорович ВН., Ухлннов ГА., Якашвили Д В. За родыш еобраэо ваине при конденсации пленок висмута на кристаллах Ь’пО И Физика твердого тела, 1973. Т. 15. № 6. С. 1888−1591.
- Внгдорович В.Н., Ухлннов ГА, Марычев В В. Некоторые проблемы роста монокристаллом висмута И Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники Химико-технологическая серия -М.: МЮТ, 1972 Вып.УШ. С.24−37.
- Вигдоровнч В-Н, Ухлннов Г, А, Якатвзпи Д. В, О декорировании поверхностей ионных кристаллов висмутом // Заводская лаборатория. 1973. Т, 39. № 8,
- Внгдоровнч В Н, Ухяинов ГА, Якашвили Д. В. Структурные особенности пленок янсмуга, конденсированных на NaCI нз паровой фазы в вакууме // Известия вузов Физика. 1973. № 11. С.119−121
- Внгдоровнч ВЛ., Ухлннов Г. А., Яхашвклн ДВ, резистометричесик итвердого тела, 1972- Т, 14. Л 9. С, 2744−2747.
- Свойства элементов / Под ред. Г. В. Самсонова- Ч. I Физические свойства. -М., Металлургия, 1976, 599 с,
- Якошвнлн Д В. Внгдоровнч ВН. Ухлннов Г-А. Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффициента термоЭДС пленок висмута // Известия вузов. Физика. 1976- № 6, С. 122−123,1. С, 284−286исследования механизма роста пленок висмута Я Физика
- КаЛдаяов В Н." Рсгедь А. Р. О влиянии толщины пленок висмута на и* электрические Свойства // Журнал технической физики, 1958 Т 28. Ht 2, C.4Q2−411.
- Абросимов В. М-, Егоров БН, Кяраидывкв В А. Влияние температуры полимерной подложки на кинетические коэффициенты и структуру пленок висмута //Теплофизика высоких температур. 1972-Т. 10. Кч 4 С 891−894
- Бурча* ежа ВИ&bdquo- Гицу Я В, Козловский МП Особенности термо-ЭДС тонких пленок висмута // Физика твердого тела 1972. Т.10, № 3- С-907−909.
- Бнвол В.Г. Бурчакова В, И. Пленочные структуры висмута и его аналогов -Кншенев Шпшиш, 1978- 62 с,
- Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В. Н., Ухлннов Г, А. 'Эффект поля в конденсированных пленках теллура // Известия АН Молдавской ССР, серии фнзико-техинчесхих и математических наук. 1988. № 3, С.21−25,
- Бондарчук H Ф, Вигдорович В Н., Ухлннов Г. А. Поверхностные явления н размерные эффекты в конденсированных пленках теллура // Известия АН Молдавской ССР. Серия фиэнко-тсхннческих и математических наук. 1988. № 2, С.61−63.
- Бондарчук Н.Ф., Вигдорович ВЛ&bdquo- Ухлннов ГА Структура конденсированных плёнок теллура и их свойства // Известии АН СССР, Неорганические материалы. 1989, Т25,№−2, С, 189−194.
- Термоэлектрическая силв металлов / Пер, с англ под ред. Д, К, Белаадсико. -М.: Металлургия, 1980 248 е.
- Новиков В В Теоретические основы микроэлектроники M Высшая школа, 1972, — 352 с266, Эдешш В. С- Свойства электронов в висмуте ti Успехи физических наук. 1977. T-123.JO 2- С. 257−287.
- Ухлинов Г. А-. Каримов ФЧ, Резников БЛ&bdquo- Марков Ф. В. Матричные приёмники излучения на основе пленочных анизотропных термоэлементов // В кн