Влияние Te на упорядочение атомов кристаллической решетки GaInP

Условия эпитаксиального роста оказывают сильное влияние на упорядочение атомов кристаллической решетки GaInP, от которой напрямую зависит значение ширины запрещенной зоны материала. В процессе легирования GaInP теллуром, примесные атомы Te встраиваются в подрешетку пятой группы. Данный процесс также может оказывать влияние на упорядочение атомов в кристаллической решетке растущего эпитаксиального слоя.

Для определения влияния примеси теллура на упорядочение атомов кристаллической решетки GaInP были проведены измерения длин волн пиков фотолюминесценции, по которым были определены значения ширины запрещенной зоны материала. Измерения проводились образцов нелегированных сурьмой. В качестве реферного образца был выращен нелегированный эпитаксиальный слой GaInP аналогичного состава на подложке GaAs.

На рисунке 3 приведена зависимость значения ширины запрещенной зоны от соотношения потоков DETe и III-ей группы.

Научный журнал КубГАУ, № 102(08), 2014 года Рисунок 3. Зависимость значения ширины запрещенной зоны слоев GaInP: Te от соотношения потоков DETe/III.

Из приведенных данных видно, что вхождение примеси теллура снижает сверхструктурное упорядочение атомов кристаллической решетки эпитаксиального слоя GaInP: Te, что приводит к увеличению ширины запрещенной зоны легированного материала. Дальнейшее увеличение концентрации примеси Te не вызывало дальнейшего увеличения ширины запрещенной зоны.

Эффект снятия сверхструктурного упорядочения GaInP, при легировании теллуром, может быть использован в полупроводниковых приборах, в которых необходимо применение широкозонных материалов n-типа.