Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Параметры и характеристики диодов. 
Классификация диодов

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Все полупроводниковые диоды можно разделить на 2 группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на высокочастотные, низкочастотные и импульсные. Специальные типы полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n-переходов; явление пробоя, барьерную емкость… Читать ещё >

Параметры и характеристики диодов. Классификация диодов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Полупроводниковым диодом называют прибор, который имеет 2 вывода и содержит один (или несколько) p-n-переходов.

Все полупроводниковые диоды можно разделить на 2 группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на высокочастотные, низкочастотные и импульсные. Специальные типы полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n-переходов; явление пробоя, барьерную емкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др.

Основные статические параметры:

  • 1) прямое падение напряжения Uпр при заданном прямом токе Iпр
  • 2) постоянный Iобр при заданном Uобр

Основные динамические параметры:

  • 1) Iвып.ср. — ср. за период значение выпрямленного I
  • 2) Uпр.ср — ср. зн-ние прям. падения U при Iпр.ср
  • 3) Iобр.ср — ср. зн-ние обрат-го I при заданном зн-нии Uобр.
  • 4) Uобр.ср. — ср. зн-ние за период Uобр.
  • 5) fгр. — граничная частота, где Iвып. VD-да до уст-ого уровня.

Физические закономерности, положенные в основу работы диодов

Образование электронно-дырочного перехода. Ввиду неравномерной концентрации на границе раздела p и n полупроводника возникает диффузионный ток, за счёт которого электроны из n-области переходят в p-область, а на их месте остаются некомпенсированные заряды положительных ионов донорной примеси. Электроны, приходящие в p-область, рекомбинируют с дырками, и возникают некомпенсированные заряды отрицательных ионов акцепторной примеси. Ширина p-n перехода — десятые доли микрона. На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.

Для неосновных носителей заряда поле будет ускоряющим и будет переносить их в область, где они будут основными. Максимум напряжённости электрического поля — на границе раздела.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой