Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современные тенденции развития техники привели к тому, что при производстве самых различных изделий электронные технологии находят все более широкое применение. Значительную долю в этих технологиях составляет нанесение различных многофункциональных покрытий в вакууме, традиционно применявшееся при производстве изделий микроэлектроники, электровакуумных приборов, дисков памяти и т. п. Кроме того… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Состояние технологии и оборудования для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера
    • 1. 1. Области использования многослойных тонкопленочных покрытий, нанесенных на поверхности большого размера
    • 1. 2. Современное вакуумное оборудование, применяемое для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера
    • 1. 3. Современные методы и устройства нанесения многослойных покрытий
  • Выводы к первой главе
  • Глава 2. Теоретические исследования процесса реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера
    • 2. 1. Зависимость времени цикла от структурно-компоновочного варианта вакуумного оборудования
    • 2. 2. Методика выбора структурно-компоновочного варианта оборудования
    • 2. 3. Математическая модель формирования технологической среды при реактивном нанесении тонких пленок
  • Выводы ко второй главе
  • Глава 3. Экспериментальные стендовые исследования процесса нанесения покрытий реактивным методом
    • 3. 1. Исследование степени влияния геометрических параметров и условий нанесения на свойства покрытия
    • 3. 2. Исследование оптических спектров покрытий
    • 3. 3. Исследование установки для нанесения покрытий периодического действия
  • Выводы к третьей главе
  • Глава 4. Практическое использование результатов проведенных исследований при отладке технологического процесса нанесения многослойных низкоэмиссионных покрытий на стекло
    • 4. 1. Описание и устройство линии нанесения покрытий
    • 4. 2. Расчеты параметров технологической среды в зоне нанесения покрытия
    • 4. 3. Модернизация конструкции камеры нанесения с целью повышения однородности и равномерности толщины получаемого покрытия
  • Выводы к четвертой главе

Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Современные тенденции развития техники привели к тому, что при производстве самых различных изделий электронные технологии находят все более широкое применение. Значительную долю в этих технологиях составляет нанесение различных многофункциональных покрытий в вакууме, традиционно применявшееся при производстве изделий микроэлектроники, электровакуумных приборов, дисков памяти и т. п. Кроме того, такие покрытия используются в качестве упрочняющих, износостойких, оптических, теплозащитных, коррозионностойких и т. д. Большинство этих покрытий представляют собой многослойные композиции, состоящие из чередующихся слоев металлов и их соединений (оксидов, нитридов, карбидов и т. д.), что определяется типом и областью применения покрытия.

Одним из наиболее широко используемых вакуумных методов получения оксидов и нитридов металлов является реактивный метод нанесения. Внутри вакуумной камеры формируют поток молекул металла, движущийся по направлению к изделию, и напускают реактивный рабочий газ, который вступает в реакцию с молекулами металла и образует требуемое соединение.

Технология нанесения тонкопленочных покрытий на поверхности большого размера по сравнению с технологиями, применяемыми в микроэлектронике, обладает следующими особенностями:

• максимальный размер изделия не ограничен размером полупроводниковой пластины и может достигать 6 метров и более, возможно использование рулонных материалов;

• для получения заданный свойств покрытия необходимо наносить многослойные (до 20-ти и более слоев) покрытия, состоящие из слоев различных материалов;

• для обеспечения стабильности и качества покрытия необходимо наносить покрытия в едином цикле без разгерметизации оборудования.

Эти особенности технологического процесса приводят к возникновению конструктивных и технологических проблем, ранее нерешенных в рамках технологии классической микроэлектроники. Исследованиями процессов нанесения многослойных тонкопленочных покрытий в вакууме занимались Ковалев JI. К. (квантовая электроника), Одиноков В. В. (микроэлектроника), Марахтанов М. К. (функциональная электроника) и другие ученые. Однако в их работах не были решены проблемы, связанные с получением заданной однородности состава и толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

На сегодняшний день в области получения многослойных тонкопленоч-иых покрытий на поверхностях большого размера остаются открытыми вопросы выбора оптимального компоновочного варианта оборудования, размещения устроств напуска и откачки газов, получения однородной среды, позволяющей обеспечить заданную стехиометрию наносимых покрытий.

Поэтому целью работы явилось создание научных основ обеспечения однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий, получаемых реактивным методом на поверхностях большого размера в вакууме.

Для достижения указанной цели были решены следующие задачи:

1. На основе анализа существующих решений и требований к оборудованию для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера разработана методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, минимальной неоднородности стехиометрического состава и неравномерности толщины наносимого покрытия.

2. Разработана методика расчета и проектирования рабочих камер установок проходного типа и вакуумных автоматических линий, позволяющая согласовывать режимы откачки и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера.

3. Проведены экспериментальные исследования для проверки разработанной методики и выявления основных зависимостей между геометрическими параметрами рабочей камеры и однородностью состава вакуумной технологической среды.

4. Разработаны рекомендации по размерам и форме рабочих камер, расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытия.

На защиту выносятся:

1. Методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий и согласования количества рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорости транспортирования обрабатываемых изделий по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия.

2. Математическая модель расчета параметров вакуумной технологической среды для нанесения однородных по составу и равномерных по толщине покрытий реактивным методом на поверхности большого размера на основе метода статистических испытаний Монте-Карло.

3. Результаты выбора геометрических параметров рабочих камер, количества и расположения патрубков откачки и напуска рабочих газов для обеспечения требуемой однородности состава и равномерности толщины наносимых тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Для проведения анализа структурно-компоновочных вариантов установок для нанесения тонких пленок в вакууме проходного типа и вакуумных автоматических линий получены зависимости, позволяющие выбирать и согласовывать по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия количество рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Выявлены взаимосвязи между геометрическими характеристиками вакуумной камеры, расположением патрубков откачки и напуска рабочих газов и однородностью состава и равномерностью толщины наносимых покрытий на поверхности большого размера.

3. На основе метода статистических испытаний Монте-Карло предложена модель и разработана компьютерная программа расчета конструктивных параметров рабочей камеры, обеспечивающих заданные стехио-метрический состав и равномерность толщины покрытия на изделиях большого размера.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана инженерная методика выбора структурно-компоновочного варианта установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, заданной стехиометрии, однородности состава и равномерности толщины покрытий, наносимых на изделия большого размера.

2. Разработана компьютерная программа для расчета параметров вакуумной технологической среды в оборудовании для нанесения реактивным методом многослойных покрытий, позволяющая выбирать конструкторские решения, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытий.

3. Разработаны рекомендации по расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов в камеры нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера для установок проходного типа и вакуумных автоматических линий.

Теоретические исследования проводились в соответствии с методами расчета вакуумных систем, изложенными Розановым JT. Н., Пипко А. И., Сак-саганским Г. Л., Нестеровым С. Б.- на работах по созданию вакуумного технологического оборудования Александровой А. Т., Одинокова В. В., Ковалева JL К., Панфилова Ю. В., Деулина Е. А., Марахтанова М. К. и других авторов.

Экспериментальные исследования образцов наносимых покрытий проводились как на специально разработанном стенде для контроля качества покрытий, так и с использованием промышленного акустоспектрофотометра AOS-3.

Экспериментальные исследования технологической среды при нанесении покрытий проводились как на лабораторном оборудовании, так и в услових производства на установках различной компоновки.

Работа выполнена в МГТУ им. Н. Э. Баумана на кафедре «Электронное машиностроение».

Общие выводы.

1. Для обеспечения максимального быстродействия оборудования проходного типа и вакуумных автоматических линий при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом на изделия большого размера рекомендуется использовать разработанную методику выбора структурно-компоновочных вариантов оборудования, определяющую необходимое количество рабочих камер и источников нанесения покрытия, наиболее приемлемую скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Для формирования па изделиях большого размера многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом необходимо согласовывать режимы и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов для обеспечения заданного стехиометрического состава, его однородности и равномерности толщины по всей площади изделия.

3. Для согласования режимов и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов в узких, протяженных вакуумных камерах для нанесения оксидных, нитридных и т. п. тонкопленочных покрытий рекомендуется использовать предложенную методику и разработанную компьютерную программу, с помощью которых методом итераций можно добиться необходимых состава и однородности вакуумной технологической среды на всем протяжении камеры.

4. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили расчетные значения степени влияния геометрических размеров и формы рабочих камер, взаимного расположения патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов на однородность состава и неравномерность толщины тонкопленочных покрытий, а также их эксплуатационные характеристики.

Это связано с тем, что скорость осаждения покрытия, его толщина и стехиометрический состав в разных зонах рабочей камеры могут отличаться в 3 и более раз.

5. Проведенные расчеты и исследования вакуумной полуавтоматической установки проходного типа для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на стеклянную подложку размером 2250×3210 мм показали, что для достижения однородности параметров технологической среды необходимо при проектировании оборудования учитывать следующие рекомендации:

• систему подачи смеси плазмообразующего и реактивного газов следует выполнять в виде отдельных секций напуска, причем состав и величину потока газовой смеси в каждой секции необходимо регулировать независимо, а количество таких секций нужно определять исходя из размеров изделия, расположения зон откачки, напуска и требуемого потока газовой смеси.

• зоны откачки необходимо проектировать таким образом, чтобы избегать протяженных каналов с соотношением сторон более 5/1, а если это невозможно, то необходимо делить протяженные каналы на секции и откачивать их параллельно.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Г., Кожитов J1.B. Оборудование полупроводникового производства: Учебное пособие для студентов вузов. М.: Машиностроение. 1986. 264 с.
  2. А.Н., Жук Д.М., Маничев В. Б. Компьютерная графика: Учебн. пособие для вузов. М.: Издт-во МГТУ им Н. Э. Баумана. 2007. 392 с.
  3. Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05.27.07: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук / МГТУ им. Н. Э. Баумана. М., 1997. 182 с.
  4. Вакуумная техника: Справочник / Под ред. Е. С. Фролова, В.Е. Минай-чева. М.: Машиностроение. 1985. 360 с.
  5. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение». В 2 т. / Н. В. Василенко и др. Красноярск. 1996. Т. 1. 256 с.
  6. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение» В 2 т. / Н. В. Василенко и др. Красноярск. 1996. Т. 2. 416 с.
  7. Л.И. Автоматизация производства электронной техники : Учебное пособие для средних ПТУ. М.: Высшая школа. 1988. 287 с.
  8. Л.И. Надежность автоматических линий. М.: Машиностроение. 1969. 309 с.
  9. .С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. 72 с.
  10. С. Научные основы вакуумной техники. М.: Издательство «Мир». 1964. 715 с.
  11. Использование ионно-лучевой обработки для увеличения фактической площади обрабатываемой поверхности / Ю. В. Панфилов и др. // Высокие технологии в промышленности России: Материалы 4-й российской конференции. Москва. 1998. С. 129−134.
  12. Ковалев J1.K. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники // Обзоры по электронной технике. Сер. 11 Лазерная техника и оптоэлектроника. 1982. Вып. 2 (866). С. 83.
  13. Л.К. Особенности создания вакуумного оборудования гибкой производственной системы для изделий микроэлектроники // Электронная промышленность. 1988. Вып. 1. С. 3−14.
  14. Л.К. Расчет конструкций камер напылительных установок методами математического моделирования // Электронная техника. Сер. 10 Квантовая электроника. 1975. Вып. 1. С. 42−53.
  15. Колесник J1. JL Использование метода Монте-Карло при анализе вариантов вакуумного оборудования для нанесения упрочняющих и энергосберегающих покрытий // Справочник. Инженерный журнал. 2008. № 11. С. 61−63.
  16. Л.Л. Математическое моделирование распределения давления в технологических вакуумных системах // Вакуумные технологии и оборудование: Сборник докладов 4-го международного симпозиума. Харьков. 2001. С. 60−61.
  17. Л.Л., Соколова А. В. Измерение оптических характеристик тепловых фильтров в ближнем ИК-диапазоне // Высокие технологии в промышленности России: Материалы 5-й российской конференции. Москва. 1999. С. 107−109.
  18. М.М., Волчкевич Л. И., Замчалов Ю. П. Автоматизация производственных процессов. М.: Высшая школа. 1978. 431 с.
  19. В.И. Основы расчета и конструирования оборудования электровакуумного производства : Учебное пособие для техникумов. М.: Высшая школа. 1971. 544 с.
  20. С.Н., Панфилов Ю. В. Кластерное оборудование в микроэлектроника // Обзоры по электронной техника. Серия 7 ТОПО. 1994. Вып. 1 (1701). С. 120
  21. М.К. Ионные распылительные установки (Основы теории и расчета): Учебное пособие по курсу «Конструирование и расчет установок ионного напыления». М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2002. 28 с.
  22. М.К. Магнетронные системы ионного распыления (Основы теории и расчета). М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 1990. 76 с.
  23. С.Б., Васильев Ю. К., Андросов А. В. Методы расчета вакуумных систем. М.: Издательство МЭИ. 2004. 220 с.
  24. Е.А. Компьютерная геометрия и алгоритмы машинной графики. СПб: БХВ-Петербург. 2003. 560 с.
  25. Оборудование полупроводникового производства / П. Н. Масленников и др. М.: Радио и связь, 1981. 336 с.
  26. Ю.В., Колесник JLJI. Анализ вариантов оборудования для нанесения тонко пленочных тепловых фильтров / / Высокие технологии в промышленности России (Техника средств связи): Материалы 2-й российской конференции. Москва. 1997. С. 43−49.
  27. Ю.В., Колесник Л. Л. Вакуумное нанесение тонкопленочных покрытий // Машиностроительные технологии: Тезисы докладов все-росийской научно-технической конференции. Москва. 1998. С. 230−231.
  28. Ю.В., Колесник Л. Л., Барменкова С. В. Устройство контроля оптических характеристик теплоотражающих покрытий. // Контроль и диагностика. 1998. № 5. С. 45−49.
  29. Ю.В., Рябов В. Т., Цветков Ю. Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы : Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и Связь. 1988. 320 с.
  30. А.И., Плисковский В. Я., Пенчко Е. А. Конструирование и расчет вакуумных систем 3-е. изд., перераб. и доп. М.: Энергия. 1979. 504 с.
  31. В.Ф., Горин Ю. Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии : Учебное пособие для вузов. М.: Высшая школа. 1988. 255 с.
  32. А.С. Надежность машин. М.: Машиностроение. 1978. 592 с.
  33. Д. Алгоритмические основы машинной графики : Пер. с англ. М.: Мир. 1989. 512 с.
  34. Д., Адаме Дж. Математические основы машинной графики : Пер. с англ. М.: Мир. 2001. 604 с.
  35. Г. Л. Молекулярные потоки в сложных вакуумных структурах. М.: Атомиздат. 1980. 216 с.
  36. Ю.П., Ковалев J1.K., Суворов В. Н., Макаров В. И. Установка нонно-плазменного расныления материалов // Оптико-механическая промышленность. 1972. № 5. С. 23−25.
  37. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. / Ред. совет: К. В. Фролов и др. // Машиностроение. Энциклопедия. М.: Машиностроение. 2000. Т. III-8. 744 с.
  38. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р. Глэнга: Пер. с англ. под ред. М. И. Элинсона, Г. Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.1. 664 с.
  39. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р. Глэнга: Пер. с англ. под ред. М. И. Элинсона, Г. Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.2. 768 с.
  40. Установка для осаждения пленок в вакууме методом лазерного испарения / Б. Г. Васецкий и др. // Электронная промышленность. 1983. Вып. 4. С. 64−66.
  41. Установка УВН-2 для нанесения многослойных оптических покрытий методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме / Шитов В. А. и др. // Электронная техника. Сер. 11 Лазерная техника и опто-электроника. 1978. Вып. 6. С. 62−66.
  42. Ю.А. Нанесение оптических покрытий методами вакуумно-плаз-менной технологии: Учебное пособие. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2004. 80 с.
  43. Ю.А. Анализ производительности оборудования для производства электронных приборов // Электровакуумное машиностроение. 1978. Вып. 2. С. 46−71.
  44. Г. А. Комплексная автоматизация производственных процессов. М.: Машиностроение. 1973. 640 с.
  45. А.В., Боресков А. В. Компьютерная графика. Полигональные модели. М.: ДИАЛОГ-МИФИ. 2005. 464 с.
  46. A New Layer System for Wideband Anti-Reflection Coatings Designed for CRTs / T. Oyama et all. // Proceeding SID International Symposium. Amsterdam (The Netherlands). 1998. P. 262.
  47. A new layer system of anti-reflective coating for cathode ray tubes / T. Oyama et all. // Thin Solid Films. Amsterdam (The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 115.
  48. Antireflective coatings on large scale substrates produced by reactive twin-magnetron sputtering / J. Szczyrbowski et all. // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. № 218. P. 25−29.
  49. Belkind A., Gerristead Jr W., Orban Z. Deposition rate distribution in a rotatable cylindrical cathode system // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1992. Vol. 207. P. 319−323.
  50. Bosscher W., Gobin G., Gryse R. Global solution for reactive magnetron sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 59−76.
  51. Brauer G., Szczyrbowski J., Teschner G. New Approaches for reactive sputtering of dielectric materials on large scale substrates // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. № 218. P. 19−24.
  52. Chrisite D.J., File D.M., Fros D.R. High performance pulsed currend source supplies for large area dual magnetron sputtering // Proceedingsof the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 107−118.
  53. Creation of the Equipment for Vaccum Deposition of Thin Film Heat Saving Coatings on Glass as a Complex Task / Y. Panfilov // 2nd International Conference on Coatings on Glass: Abstracts of Presentations. Saarbriicken (Germany). 1998. P. 86.
  54. Heister U. TwinMag II: A reliable sputter tool for large area production coaters // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 95−96.
  55. High-rate deposition of Si02 by modulated DC reactive sputtering in the transition mode without a feedback system / H. Ohsaki et all. // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1996. Vol. 281/282. P. 213−217.
  56. High rate sputter deposition by DC sputtering of T1O2-X target / H. Osaki et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 51−58.
  57. High rate sputter deposition of T1O2 from TiO^-x target. / H. Ohsaki et all. // This Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 57−60.
  58. Investigating technology and properties of heat-saving thin film coatings on glass / Y. Panfilov et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands), 2000. P. 775−779.
  59. Ishibashi S. Display Imaging. Amsterdam (The Netherlands): Elsivier. 1998. 177 p.
  60. Kay E. Magnetic field effects on an abnormal truncated glow discharge andtheir relation to sputtered thin film grouwth // Journal Applied Physics (New York, USA). 1963. Vol. 34. P. 760−768.
  61. Large scale and low resistance ITO films formed at high deposition rates / K. Suzuki et all. // Thin solid films (Amsterdam, The Netherlands). 1993. Vol. 226. P. 104−104.
  62. May C., Striimpfel J., Teschner G. Balance control for high rate area reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 77−78.
  63. Nadel S., Greene P. Strategies for high rate reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 79−94.
  64. New Developments in the Field of MF-sputtering with TwinMag to Obtain Higher Productivity for Large Area Coatings / Heister U. et all. Cologne (Germany): Leybold Systems GmbH. 1998. 6 p.
  65. Nishimata T. Flat-Panel Display. Tokyo (Japan): Nikkey Business Publications Inc. 1997. P. 122.
  66. Ohsaki H., Kokubu Y. Global market and technology trends on coated glass for architectural automotive and display applications // Coatings on Glass 1998 2nd International Conference on Coatings on Glass (ICCG). Saarbriiken (Germany). 1998. P. 1−7.
  67. Prado K., Wallace G. Large area glass sputtering systems. A global market outlook through 2004 // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 27−28.
  68. Pulker H.K. Coatings on Glass. Amsterdam (The Netherlands): Elsevier. 1987. 118 p.
  69. Reactive d.c. high-rate sputtering as production technology / S. Schiller et all. // Surface Coating Technology (Amsterdam, The Netherlands). 1987. № 3. P. 405−423.
  70. Rettich Т., Weidemuth P. MF, DC and pulsed DC in use for large area coatings applications on glass // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 97−106.
  71. Shigesato Y., Takaki S., Haranou T. Electrical and structural properties of low resistivity tin-doped indium oxide films // Journal of Applied Phisics (New-York, USA). 1992. № 71. P. 356.
  72. TwinMag-II: attempts to improve an excellent sputter tool / U. Heister et all. // Thin solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 27−31.
Заполнить форму текущей работой