Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Повышение эффективности управления технологическим процессом формирования структур интегральных элементов

Диссертация: Повышение эффективности управления технологическим процессом формирования структур интегральных элементов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При создании ИЭ ионно-фотонные ТП в значительной степени определяют такие характеристики, как процент выхода годных (ПВГ) в производстве и надежность при эксплуатации. Повышение ПВГ требует целенаправленного автоматизированного управления ТП для достижения заданного уровня точности и стабильности работы технологических ч операций (ТО), однородности параметров выпускаемых изделий. Такое управление… Читать ещё >

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА
    • 1. 1. Анализ технологического процесса производства1 элементов интегральной электроники^
    • 1. 2. Технологический процесс как объект управления
  • Выводы к главе 1
  • 2. УПРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПРОЦЕССАМИ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
    • 2. 1. Алгоритмы управления технологическими процессами
    • 2. 2. Исследования и составление схемы процесса
    • 2. 3. Моделирование процессов и эффективность выбора управлений
    • 2. 4. Формализация цели управления
  • Выводы к главе 2
  • 3. УПРАВЛЕНИЕ ПРОЦЕССОМ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
  • 3-. 1 Совершенствование метода и повышение эффективности управления технологическим процессом имплантации
    • 3. 2. Управление динамическими параметрами интегральных элементов в процессе формирования структур
    • 3. 3. Управление технологическими параметрами структурных слоев
  • Выводы к главе 3
  • 4. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОТЖИГА НЕКОГЕРЕНТНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ
    • 4. 1. Особенности процесса отжига некогерентным излучением
    • 4. 2. Разработка модели процесса нагрева полупроводниковых пластин при некогерентном отжиге
    • 4. 3. Управление процессом отжига пластин
  • Выводы к главе 4
  • 5. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ТРАВЛЕНИЯ
    • 5. 1. Процесс травления в технологии микроэлектроники
    • 5. 2. Моделирование процесса травления
  • Выводы к главе 5

Повышение эффективности управления технологическим процессом формирования структур интегральных элементов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Повышение эффективности производства при обеспечении определенного уровня качества изделий в условиях стабильного технологического процесса (ТП) рассматривается как важная научно-техническая проблема, решение, которой особо важно в производстве интегральных элементов (ИЭ):

Производство ИЭ представляет собой сложный многофакторный и многостадийный процесс. Основные характеристики ИЭ, определяющие область их применения, создаются при формировании структур в обрабатывающей фазе. Современные ионно-фотонные технологические процессы формирования структур элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных, импульсных и-радиационно-стимулированных технологических операций. К таким прогрессивным технологическим операциям относятся: ионная1 имплантация, некогерентный отжиг, плазмохимическое и ионное травление.

Анализтехнологических особенностей процессов формирования структуры ИЭ показал, что к точностии стабильности ТП и условиям: их. выполнения предъявляются особо высокие требования. Все вышеприведенное и большое разнообразие применяемых методов и приемов обработки приводят к необходимости решения сложных задач управления ТП. Решениеэтих задач основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология.

При создании ИЭ ионно-фотонные ТП в значительной степени определяют такие характеристики, как процент выхода годных (ПВГ) в производстве и надежность при эксплуатации. Повышение ПВГ требует целенаправленного автоматизированного управления ТП для достижения заданного уровня точности и стабильности работы технологических ч операций (ТО), однородности параметров выпускаемых изделий. Такое управление возможно на основе моделирования, конкретного процесса и для конкретного типа изделий, а также оптимизации технических решений. Однако управление процессами осложняется особенностями рассматриваемого ТП: групповой характер производствамногофакторность, длительность изготовления. Составной частью автоматизированной системы управления являются алгоритмы и программы функционирования, учитывающие особенности протекания исследуемого ТП формирования структур ИЭ на основе математического описания.

Решение различных проблем современного производства ИЭ на основе развития и использования математического моделирования технологических процессов и оптимизации технических решений является актуальным направлением научных исследований. Развитие его позволяет успешно решать задачи обеспечения оптимальных й устойчивых к разбросу параметров ТП и повысить технологичность выпускаемых изделий. Так, моделирование процессов в технологии ИЭ позволяет оптимизировать технологические режимы и достичь требуемых параметров изделий. Кроме того, использование новых моделей и новых технических средств в производстве ИЭ дает возможность эффективно и наиболее оптимальным способом управлять ТП. Рассматриваемые в работе технические решения наиболее актуальны для формирования структуры ИЭ и позволяют повысить качество и надежность изделий в целом.

Настоящая работа соответствует приоритетному направлению развития науки, технологии и техники РФ, критической технологии «технологии создания электронной компонентной базы» и выполнена в соответствии с ФЦП «Национальная технологическая база» на 2007;2011 годы и проведением научно-исследовательских работ кафедры «Материалы и компоненты твердотельной электроники» .

Цель диссертационной работы — повышение эффективности автоматизированного управления технологическим, процессом формирования структур интегральных элементов путем моделирования и оптимизации технического обеспечения технологического процесса для поддержания и стабильности выходных характеристик приборов.

Задачи исследования. Достижение цели обеспечивается постановкой и решением следующих задач:

— исследование процесса групповой обработки формирования структур как объекта управления;

— управление процессами формирования структурных слоев интегральных элементов;

— разработка алгоритма и структуры системы управления технологическим процессом отжига при формировании структур;

— моделирование процесса травления при формировании топологии интегральных элементов;

— реализация алгоритмов управления процессами формирования структур интегральных элементов в промышленных условиях.

Методы исследования. При решении поставленных в работе задач использованы методы математического моделирования, системного анализа, имитационного компьютерного моделирования, • оптимизации, математической статистики. Экспериментальные исследования проводились на стендах, в лабораторных условиях и на промышленном процессе. Научная новизна решения поставленных задач:

1. Предложены формализованные описания основных процессов групповой обработки, протекающих при формировании структур ИЭ, на основе математических зависимостей и соотношений, ориентированных на использование их при управлении на базе современных программно-технических средств и информационных технологий.

2. Установлена возможность формирования с высокой степенью точности структурных слоев ИЭ путем формализации процессов и разработки алгоритмов эффективного управления ионно-фотонными ТП, которые обеспечивают получение структур с заданными параметрами и направлены на повышение процента выхода и улучшение однородности характеристик приборов в партии.

3. Предложены модель и алгоритм моделирования процесса сухого травления с учетом основных параметров режима травления, обеспечивающие воспроизводимость рельефов.

4. Предложены математические модели процесса формирования структур ИЭ, которые могут быть использованы при анализе экспериментальных данных. На основе их получены расчетные зависимости, отражающие основные закономерности влияния параметров ТП на характеристики структур. Разработаны эффективные алгоритмы управления режимами ионной импульсной имплантации и отжига некогерентным излучением.

5. Разработана автоматизированная система управления процессом отжига пластин, позволяющая с высокой точностью и воспроизводимостью реализовать температурно-временные режимы импульсного отжига полупроводниковых пластин по заданной программе.

Практическая ценность результатов работы:

1. Разработанная система управления процессом имплантации и. отжига позволяет повысить точность протекания процесса групповой обработки формирования структур, и добиться стабильности показателей качества за счет эффективного управления процессами имплантации и отжига некогерентным излучением.

2. Разработанные системы и алгоритмы управления процессом импульсной ионной имплантации, отжига и травления опробованы в условиях производства, позволяют повысить процент выхода годных ИЭ, снизить энергозатраты и продолжительность термообработки.

3. Алгоритмизация технологического процесса позволяет оптимизировать технологические режимы для достижения требуемых параметров приборных структур. Кроме того, позволяет эффективно и наиболее оптимально управлять технологическим процессом формированияструктурных слоев.

4. Моделирование технологических операций формирования структур ИЭ позволяет проводить, целенаправленный поиск технологических параметров для: осуществления оптимальной технологии изготовления приборов. ¦

Апробация работыОсновные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались па следующих конференциях:

— VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии», Кисловодск, 2006;>

— IV Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития», Томск, 2007;

— VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и 'современные микрои нанотехнологии», Кисловодск, 2007;

— Всероссийской научно-техничёской конференции с международным участием «Современные проблемы радиоэлектроники», Красноярск, 2009;

— X международной научно-методической конференции «Информатика: проблемы, методология, технологии», Воронеж, 2010;

— VII Всероссийской научно-технической конференции «Измерения, автоматизация и моделирование в промышленности и научных исследованиях», Бийск, 2010;

— VI Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления», Томск, 2010;

— II Международной научно-практической конференции «Прогрессивные технологии и перспективы развития», Тамбов, 2010;

Международной научно-технической конференции.

Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", Москва, 2010;

— Международной научно-технической конференции «Микрои нанотехнологии в электронике», Нальчик, 2010.

Выводы к главе 5.

1. Проведен анализ процесса сухого травления при производстве ИЭ.

2. Разработаны модель и алгоритм моделирования процесса сухого травления с учетом основных параметров режима травления, обеспечивающие воспроизводимость рельефов с высокой точностью и оптимизацию параметров процесса.

3. Показано, что профили, полученные в результате моделирования, адекватно отражают технологический процесс сухого травления.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе решена научная задача повышения эффективности управления технологическим процессом формирования структур интегральных элементов.

Основные теоретические и практические результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Разработаны и исследованы формализованные описания основных процессов групповой обработки, протекающих при формировании структур ИЭ, на основе математических зависимостей и соотношений, ориентированные на использование их при управлении на базе современных программно-технических средств и информационных технологий.

2. Разработан алгоритм эффективного управления процессом ИИИ на основе разработанной установки, который позволяет получать структуры ИЭ с заданными параметрами. Реализация алгоритмов эффективного управления ТП обеспечивает формирование с высокой точностью структурных слоев ИЭ, повышение процента выхода и улучшение однородности характеристик ИЭ в партии.

3. Сравнительный анализ расчетных и экспериментально измеренных концентрационных профилей ионов бора и мышьяка, имплантированных в кремний, показал, что математическая модель позволяет достаточно хорошо прогнозировать концентрации внедренных ионов при различных дозах и энергиях. Выявленные различия расчетных и экспериментально измеренных профилей могут быть обусловлены процессом ионного перемешивания. Представленные результаты исследования ИИИ позволяют сделать выводы об особенностях использования и рекомендации для эффективного проведения соответствующего технологического процесса.

4. Разработан алгоритм эффективного управления процессом отжига некогерентным излучением, предоставляющий возможность определения зависимости температуры кремниевой пластины от плотности потока мощностиоблучения в любой момент времени процесса отжига, а также оценить изменение температуры пластины после прекращения воздействия на нее светового потока. Для обеспечения оптимального управленияпроцессом отжига: пластин разработана автоматизированная система управления, позволяющаяс высокой точностьюи воспроизводимостью, реализовать необходимые температурно-временные режимыимпульсного, отжига полупроводниковых пластин.

5. Разработан алгоритм моделированияпроцесса сухого травления, с учетом основных параметров режима травления, обеспечивающих воспроизводимость рельефов с высокой точностью и оптимизация параметров процесса.

6. Установлены зависимости электрофизических свойств ионно-имплантированных слоев кремния от дозы облучения и температуры отжига. Определены оптимальные режимы процесса ионной имплантации и отжига, обеспечивающие повышение процента выхода ИЭ. Научно обоснованы и экспериментально осуществлены оптимизация процессов управления ИИИ, отжига некогерентным излучением и плазменное травление, при формировании структур ИЭ.

7. Повышение эффективности управления ТП формирования структур ИЭ и воспроизводимости их параметров обеспечивается разработкой эффективных стратегий и использованием новых технических решений. Это позволяет повысить, стабильность ТП, качество и надежность ИЭ.

8. Результаты исследований внедрены на ОАО «НЗГЕТ' и используются в учебном • процессе Кабардино-Балкарского государственного университета. Экономический эффект составляет 490 тысяч рублей в год.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. 368с.
  2. Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров микросборок. СПб.: Лань, 2009. 400с.
  3. И.И., Гаврилина М. И. Технология производства полупроводниковых материалов, приборов и интегральных схем. М.: МГОУ, 2001. 140с.
  4. Л.А., Волков В. А., Докучаев И. И. Конструирование и технологии микросхем. М.: Высшая школа, 1984. 231с.
  5. В.Е., В.П. Захаров, А. И. Коробков. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1987. 160с.
  6. A.C., Мочалкина О. Р. Технология и конструкция интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1992. 320с.
  7. Р., Донован Р. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. М.: Мир, 1969. 451с.
  8. М.А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкция и методы моделирования кремниевых микросхем. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2007. 397с.
  9. Ю.Д., Райнова Ю. П. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий. Т1. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2010. 392с.
  10. Ю.М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. СПб.: Лань, 2002. 424с.
  11. С. Johnson. Process Control Instrumentation Technology. New Jersey: Prentice Hall, 2005. 704c.
  12. С.И. Методы исследования основных параметров полупроводников. Воронеж: Изд-во Воронежского университета, 1989. 221с.
  13. И.Г., Придании Н. Б. Физика поверхности полупроводников. Новосибирск: НГТУ, 1994. 184с.
  14. А.Г., Кузнецов Г. Д. Моделирование процесса фотонного отжига ионно-легированных слоев // Электронный журнал «Исследовано в России». 2005.
  15. A.B., Качурин Г. А., Нидаев Е. В. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 13с.
  16. И.Ф., Судник Ю. А. Автоматизация технологических процессов. М.: Колосс, 2007. 344с.
  17. В.В. Модели производственных систем // Приборы и системы управления. 1994. № 4. С.45−47.
  18. В.Н. Системы качества. СПб.: Бизнес-пресса, 2000.336с.
  19. М.Г. Некоторые проблемы при создании микроэлектронных приборных структур // Современные проблемы радиоэлектроники: сборник научных трудов. Красноярск. 2009. С.263−266.
  20. Д.Ю. И.В. Тюрин, A.A. Кабанов. Управление качеством электронных средств: учебное пособие. 41. Тамбов: ТГТУ, 2005. 80с.
  21. М.Г. Системный подход к обеспечению качества изделий // Автоматизация и современные технологии. 2007. № 1. С.43−45.
  22. Рей У. Методы управления технологическими процессами. М.: Мир, 1983. 368с.
  23. М.В. Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2008. 432с.
  24. М.Г., Мустафаев М. Г. Совершенствование управления производством и его эффективность // ИТР. 2008. № 9. С. 11.
  25. М.Г., Мустафаев А. Г. Система обеспечения качества сверхбольших интегральных схем // Электронная промышленность. 2007. № 1. С.29−32.
  26. Э. Л. Методы рациональной автоматизации, производства. Вологда: Инфра инженерия, 2009. 256с.
  27. А. В., Демкин В. И., Кононов В. Ю., Кабанова А. Б. Основы автоматизации-техпроцессов. М.: Высшее образование, 2009. 176с.
  28. B.C., Пресс Ф. П. Управление технологическими процессами производства полупроводниковых приборов. М.: Энергии, 1979. 208с.
  29. О. М. Основы автоматизации технологических процессов и производств. М.: Академия, 2009. 240с.
  30. Л. И. Автоматизация производственных процессов. М.: Машиностроение, 2007. 384с.
  31. В.Г. Интегрированные системы управления технологическими процессами. СПб.: Профессия, 2009. 592с.
  32. В.М., Литвинова А. П. Основы автоматического* регулирования и управления. М.: Высшая школа, 1974. 440с.
  33. В.А., Лифшиц А. Л., Федулов A.A., Куштина Э. И. Автоматизация управления. М.: Радио и связь, 1984. 264с.
  34. А. В., Острейковский В. А. Теоретические основы автоматизированного управления. М.: Оникс, 2005. 640с.
  35. Ю.В. Основы теории систем управления (исследование и проектирование). М.: Радио и связь, 2004. 256с.
  36. В.И., Банков H.A. Математическое моделирование субмикронных элементов интегральных схем: состояние и проблемы // Микроэлектроника. 1987. Т. 16. № 6. С.484−496.
  37. Г. Д., Мусабеков Т. Ю. Оптимизация технологических режимов на основе статистического моделирования // Электронная техника. Сер. 2. 1974. вып.5. С.99−100.
  38. A.A., Малышев B.C., Нелаев В. В., Стемпицкий В. Р. Статистическое проектирование и оптимизация технологии производства интегральных микросхем // Микроэлектроника. 2003. Т.32. № 1. С.47−61.
  39. Е.З., Пресс Ф. П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: Энергия, 1974. 384с.
  40. В.Р. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969. 335с.
  41. Заболотнов Ю-М. Оптимальное управление непрерывными динамическими системами. Самара: СГАУ им. С. П. Королева, 2005. 129с.
  42. Ли Э.Б., Маркус JI. Основы теории оптимального управления. М.: Наука, 1972. 576с.
  43. Ю.Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976. 304с.
  44. С.И., Муромцев Ю. Л., Погонин В. А., Схиртладзе А. Г. Моделирование систем. М.: Академия, 2009. 320с.
  45. Ю.И. Технология полупроводниковых приборов и изделий. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. М.: Высшая школа, 1989. 143с.
  46. В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника. М.: Высшая школа, 2008. 800с.
  47. И.И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем. М. Ижевск: Изд-во «НИЦ. «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. 154с.
  48. В.А., Грудников А. Г. Интегральные преобразования и операционное исчисление. М.: Наука, 1974. 542с.
  49. Д. Анализ процессов статистическими методами- М: Мир, 1973. 957с.
  50. Н., Смит Г. Прикладной регрессионный анализ. М.: Статистика, 1973. 391с.
  51. Ю.В. Метод наименьших-квадратов и основы математико-статистической теории обработки наблюдений. М-: Наука, 1962- 349с.
  52. Зарубин В-С. Математическое моделирование в технике. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2010. 495с.
  53. М.Г., Мустафаева Д. Г. Формализация моделирования технологической системы управления производством изделий5 // Машиностроитель. 2009. № 6. С.6−8.
  54. М.Г., Мустафаева Д. Г. Повышение эффективности технологической системы путем оптимизации ее управления! // Машиностроитель. 2009. № 11. С. 14−16.
  55. М.Г., Мустафаев Г. А. Управление и регулирование технологической системы производства элементов и компонентов // Приборы. 2007. № 11. С.44−47.
  56. М.Г. Совершенствование управления технологической, системой при производстве изделий // Материалы VI Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления». Томск. 2010. С.113−114.
  57. М.Г., Мустафаева Д. Г. Повышение эффективности управления технологической системы при создании элементов и: компонентов РЭС // Вопросы радиоэлектроники. 2009. № 1. С.70−73.
  58. Г. Е. Импульсные мощные ионные пучки и их применение в области материаловедение // Материалы II Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Казань. 2008. С. 27.
  59. А.Ф. Современное состояние технологии- ионной имплантации // Материалы II Всероссийской конференции «Физические, и физико-химические основы. ионной имплантации». Казань. 2008- С. 23.
  60. Н.Н. Современное состояние проблем ионно-лучевой модификации материалов // Материалы. II Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы, ионной имплантации». Казань., 2008. С. 24.
  61. Е.И., Павлов П.В-, Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 1975. 129с.
  62. X., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360с.
  63. Д.С., Панченко В. А., Кармоков A.M., Тешев Р:Ш. Технология получения многокомпонентных субмикронных слоев для изделий- функциональной электроники // Тезисы докладов российской конференции «Приборы и техника ночного видения». Нальчик. 2002. С.64−67.
  64. М.Ю. Метод ионной-лучевой модификации материалов в микрофотонике // Материалы II Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Казань. 2008. С.27−28.
  65. А.Г., Кизимов И. М., Кузнецов Г. Д. Применение воздействия ионных пучков на структуры «пленка-подложка» в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем // Прикладная физика. 2010. № 6. С.51−53.
  66. М.Г. Ионно-лучевая технология при исследовании и создании* структур // Материалы VI Международной- научной конференции «Химия твердого тела* и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск.2006. С.87−88.
  67. В.В. Радиационные дефекты при ионной- имплантации кремния. М.: Высшая школа, 1976. 164с.
  68. М.Г., Кармоков A.M. Обеспечение- надежности элементов и компонентов радиоэлектронных систем // Вестник ВГТУ. 2009. Т.5. № 1. С.127−130.
  69. Д.С., Панченко В. А. Лазерно-плазменный имплантер для сверхвысоковакуумных исследовательских установок // Тезисы докладов российской конференции «Приборы и техника ночного видения». Нальчик. 2001. С.24−28.
  70. З.Ю., Осередько С. А., Бобицкий Я. В. Импульсный лазерный отжиг ионно-имплантированных полупроводниковых материалов // Зарубежная электронная техника. 1983. № 6. С.3−48.
  71. М.Г. Оптимизация процесса формирования структурных слоев интегральных элементов // Материалы II Международной- научно-практической конференции «Прогрессивные технологии и перспективы развития». Тамбов. 2010. С. 208.
  72. М.Г., Мустафаева Д. Г. Некоторые методологические принципы совершенствования управления технологической системой при создании изделий // Известия ВУЗ. Технические науки. Северо-Кавказский регион. 2009. № 3. С.3−5.
  73. Т., Икома Т. Введение в микроэлектронику. М.: Мир, 1988.320с.
  74. В. Технологии и оборудование для производства интегральных микросхем. Состояние и тенденции развития // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. 2004. № 7. С.72−77.
  75. Ю., Айхлер Г.-И. Лазеры. Исполнение, управление, применение. М.: Техносфера. 2008. 440с.
  76. М.Г., Мустафаев Г. А. Обеспечение качества и надежности пленочных приборных структур // Приборы. 2010. № 10. С.49−53.
  77. М.Г., Мустафаева Д. Г. Эффективность управления технологической системой при создании изделий // Труды молодых ученых. 2008. № 4. С.6−8.
  78. А.Ф., Комаров М. А. Таблица параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск, 1980. 236с.
  79. О.Б., Попов П. Ю., Груздев Ю. В. Моделирование диффузионных процессов в ионно-легированных материалах // Наукоемкие технологии. 2008. № 7. С. 52−56.
  80. И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. Минск: БГУ, 1999. 189с.
  81. Д.И. Эффект дальнодействия, как отклик твердого тела на энергетические потоки малой интенсивности // Материалы II Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации''. Казань. 2008*. С.28−29.
  82. . А. Распределение Пирсона, Джонсона, Вейбулла и обратное нормальное. Оценивание их параметров. М.: Редакционно-издательский отдел ИПХФ РАН, 2009. 240с.
  83. Э. Проверка статистических гипотез. М.: Наука, 1964. 408с.
  84. Ю.В., Рябов В. Т., Цветков Ю. Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь, 1989. 320с.
  85. И.И., Харифнов В. В. Проблемы моделирования, элементов кремниевых интегральных схем // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1996. Вып. 5. С.3−9.
  86. М.Г., Мустафаева Д. Г. Эффективность функционирования технологической системы при создании изделий // Машиностроитель. 2009. № 5. С.44−48.
  87. М.Г. Моделирование процесса отжига при производстве приборных структур // Материалы 7-й Всероссийской научно-технической конференции «Измерения, автоматизация и моделирование в промышленности и научных исследованиях». Бийск. 2010. С.64−66.
  88. А.А. Моделирование и проектирование сложных систем. М.: Высшая школа, 1988. 359с.
  89. А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1990. 320с.
  90. В.А., Борисенко В. Е., Грибковский В. В. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1983. № 1. С. 3−57.
  91. W.C. Dunn. Introduction to instrumentation, sensors, and process control. London: Artech House Publishers, 2005. 354c.
  92. G. Kalani. Industrial Process Control: Advances and Applications. Houston: Gulf Professional Publishing, 2010. 182c.
  93. Дж., Маккей С., Райт Э. Передача данных в системах контроля и управления. М.: Группа ИДТ, 2007. 480с.
  94. В. В. Компьютерное управление технологическим процессом, экспериментом, оборудованием. М.: Горячая Линия Телеком, 2009. 608с.
  95. А.Л. Проектирование АСУТП. Книга 1. СПб.: Деан, 2010. 552с.
  96. А.Л. Проектирование АСУТП. Книга 2. СПб.: Деан, 2009. 944с.
  97. . В., Чудаков А. Д. Технические средства автоматизации. М.: Академия, 2010. 368с.
  98. С. Установка отжига. М.: Мир, 1986. 136с.
  99. С. А. Автоматическое управление техническими системами. УФА: УГАЭС, 2007. 300с.
  100. ГОСТ 19.701−90. Единая система программной документации. Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения.
  101. Т., Лейзерсон Ч., Ривест Р., Штайн К. Алгоритмы. Построение и анализ. М.: Вильяме, 2009. 1296с.
  102. R. Sedgewick. Algorithms. New Jersey: Addison-Wesley, 1988. 560c.
  103. В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. М.: Высшее образование, 2009. 464с.
  104. В.А., Молчанов А. И., Данилкин Е. В. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнолигиях. М: Бином. Лаборатория знаний, 2010. 283с.
  105. Ю. Микротехнология — универсальная основа производства современной электроники // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 4. С.43−46.
  106. В.Д., Фридман A.A. Физика химически активной плазмы. М.: Наука, 1984.415с.
  107. Ю.Д., Райнова Ю. П. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий. Т2. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2010. 252с.
  108. A.A. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники // Микроэлектроника. 1999. Т.28. № 6. С.415−426.
  109. A.A. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Реактивное ионное травление // Микроэлектроника. 1999. Т.28. № 5. С.349−362.
  110. В.Ф., Юнкин В. А. Масштабирование скорости травления и подобие профилей при плазмохимическом травлении // Микроэлектроника. 1998. Т.27. № 3. С.229−239.
  111. Д.В., Костюнина Т. П. Основы полупроводниковой электроники. М.: Горячая линия Телеком, 2005. 392с.
  112. А. Ю. Закгейм. Общая химическая технология. Введение в моделирование химико-технологических процессов. М.: Логос, 2010. 304с.
  113. Т.Н., Клушин Д. В. Основы компьютерного моделирования химико-технологических процессов. М.: ИКЦ «Академкнига», 2006. 416с.
  114. Ч., Ленгдон А. Физика плазмы и численное моделирование. М.: Энергоатомиздат, 1989. 452с.
  115. Я.В., Хайбуллин И. Б., Баязитов P.M. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 11. С.61−69.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!