Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками
Все более широкое использование термоэлектрических материалов в современной технике задает все более высокие требования по надежности, стабильности и эффективности этих материалов. Например, международным стандартом Telcordia GR-468-CORE, разработанным применительно к телекоммуникационной аппаратуре, предписано, чтобы термоэлектрические модули выдерживали хранение при 85 °C в течение не менее… Читать ещё >
Содержание
- 1. Аналитический обзор литературы
- 1. 1. Физико-химические свойства В1гТез и вЬгТез
- 1. 1. 1. Структура ЬНгТез
- 1. 1. 2. Термодинамические свойства Х^Тез, БЬ^Тез
- 1. 1. 3. Химическая связь в В1гТез
- 1. 2. Диаграммы состояния В1 — Те и БЬ — Те
- 1. 2. 1. Диаграмма состояния В! — Те
- 1. 2. 2. Диаграмма состояния вЬ — Те
- 1. 3. Отступление от стехиометрии в В1гТез
- 1. 4. Диффузия в термоэлектрических материалах
- 1. 4. 1. Диффузия примесей в твердых растворах В12Тез—В128ез и В12Те3—8ЬгТез
- 1. 5. Взаимная диффузия на границе металл — полупроводник
- 1. 5. 1. Возможные механизмы диффузии на границе металл — полупроводник
- 1. 5. 2. Влияние взаимной диффузии в системе металл — полупроводник на контактное сопротивление
- 1. 6. Легирование В1гТез и его твердых растворов
- 1. 7. Методы выращивания кристаллов теллурида висмута
- 1. 7. 1. Метод Бриджмена
- 1. 7. 2. Зонная плавка
- 1. 7. 3. Метод Чохральского
- 1. 8. Описание технологических процессов и технологического оборудования получения металлических покрытий на кристаллах твердых растворов теллурида висмута
- 1. 8. 1. Роль металлических покрытии на ветвях твёрдых растворов теллурида висмута
- 1. 8. 2. Напыление металлов в вакууме
- 1. 8. 3. Испарительные системы, основанные на электронно-лучевом методе нагрева
- 1. 8. 4. Магнетронные распылительные системы
- 1. 8. 5. Резистивные испарители
- 1. 9. Оценка степени диссоциации конгруэнтно плавящихся соединений в зависимости от кривизны линии ликвидус в области соединения
- 1. 10. Расчёт фазовых равновесий в многокомпонентных системах
- 1. 11. Термодинамический расчет 3х компонентных диаграмм состояния с использованием данных, полученных из бинарных систем
- 1. 12. Выводы по главе 1
- 1. 1. Физико-химические свойства В1гТез и вЬгТез
- 2. Методы исследования
- 2. 1. Объекты исследования
- 2. 2. Метод ускоренных испытаний термоэлектрических материалов
- 2. 3. Модифицированный метод Бриджмена
- 2. 3. 1. Синтез исходных материалов для кристаллизации поликристаллов
- 2. 3. 2. Технические характеристики процесса синтеза
- 2. 3. 3. Оборудование для синтеза исходных материалов
- 2. 4. Выращивание кристаллов теллурида висмута
- 2. 4. 1. Описание процесса выращивания
- 2. 5. Технологический процесс высокотемпературного отжига пластин
- 2. 6. Контроль качества поликристаллических пластин
- 2. 6. 1. Контроль геометрии
- 2. 6. 2. Измерение удельной электропроводности пластин
- 2. 7. Описание технологического оборудования электроэрозионной резки твердых растворов теллурида висмута
- 2. 8. Описание технологического оборудования вакуумного напыления
- 2. 8. 1. Компоновка вакуумной системы установки
- 2. 8. 2. Рабочая камера
- 2. 8. 3. Вакуумные насосы
- 2. 8. 4. Определение толщины покрытий
- 2. 9. Методики контроля качества ветвей термоэлектрического материала
- 2. 9. 1. Контроль смачиваемости покрытия с использованием припойных паст
- 2. 9. 2. Определение прочности сцепления покрытия с кристаллом
- 2. 9. 3. Измерение проводимости ветвей термоэлементов
- 2. 9. 4. Определение термоэлектрической эффективности Z
- 2. 9. 5. Расчет термоэлектрической эффективности по данным измерения параметров материала
- 2. 9. 6. Измерение термоэлектрической эффективности с использованием метода Хармана
- 2. 10. Методы и оборудование для исследования фазового равновесия в трехкомпонентной системе ВьТе-в
- 2. 10. 1. Устройство Дериватографа
- 2. 10. 2. Исходные материалы и компоненты для нахождения точек ликвидуса
- 2. 10. 3. Условия проведения экспериментов
- 3. 1. Построение диаграммы состояния В12Тез-8Ь2Тез
- 3. 2. Расчет ошибок измерений
- 3. 3. Расчет энтальпии исследуемых материалов
- 3. 4. Расчет параметра взаимодействия компонентов бинарных растворов в жидкой фазе
- 3. 5. Расчет коэффициента активности в жидком растворе В1гТез — 8ЬгТез, с использованием приближения квазирегулярных растворов
- 3. 6. Расчет степени диссоциации систем 8Ь-Те и ВьТе
- 3. 7. Определение вида зависимости параметров смешения от температуры и состава
- 3. 8. Расчет коэффициентов активности компонентов системы ВЬ-Те
- 3. 8. 1. Сводные таблицы результатов расчёта
- 3. 9. Выводы по главе 3
- 4. 1. Работа с термоэлектрическими пластинами
- 4. 2. Исследование нового состава материала
- 4. 3. Исследование термостойкости ветвей термоэлементов
- 4. 4. Обсуждение результатов отжига микромодулей при температуре 150 °С
- 4. 5. Выбор оптимального металлического покрытия для термостойкого модуля
- 4. 6. Молибденовое покрытие
- 4. 6. 1. Определение толщины нанесенного покрытия
- 4. 6. 2. Измерение адгезии полученного покрытия к материалу
- 4. 7. Гальваническое покрытие
- 4. 8. Отжиг микромодулей с различными металлическими покрытиями
- 4. 9. Результаты аттестации ветвей
- 4. 10. Выводы по главе 4
Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Полупроводниковые термоэлектрические материалы широко применяются в генераторах для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах. Среди этих материалов твердые растворы на основе теллурида висмута (В12Тс3) обладают лучшими термоэлектрическими свойствами в интервале температур 200—600 °К.
Основные энергетические характеристики термоэлектрических устройств (перепад температуры в термобатареях, холодильный коэффициент термостатов, кондиционеров и холодильников, к.п.д. термоэлектрогенераторов) определяются термоэлектрической эффективностью Ъ [1 -2]. где, а — коэффициент термо-э.д.с., а — электропроводность, % - теплопроводность, Т-абсолютная температура, индексы пар относятся к пи рветвям термоэлемента.
В настоящее время в качестве основных материалов для термоэлектрических охлаждающих устройств и термогенераторов, работающих при температурах ниже 300— 350 °C, используются твердые растворы ЕПгТез — ЕНгЭез и Б^Тез — Б^Тез.
Среди халькогенидов, являющихся компонентами этих твердых растворов, наиболее подробно изучен теллурид висмута. Это объясняется рядом причин. Во-первых, теллурид висмута сам по себе имеет достаточно высокие термоэлектрические параметры и в ранних моделях термоэлектрических приборов широко применялся в качестве рабочего материала. Во-вторых, путем легирования его можно получить как птак и /?-типа. И, наконец, теллурид висмута проще всего изготовить в виде достаточно совершенных кристаллов. Одним из наиболее перспективных методов получения этих материалов является модифицированный метод Бриджмена, основанный на программируемом охлаждении расплава в зазорах между теплопроводящими пластинами. По сравнению с другими, данным методом удается достичь наибольшей производительности выращивания поликристаллических материалов Ри Ы-типа, имеющих высокую термоэлектрическую эффективность (2Р"3,2×10″ 3 1/К, 2ы~3,0×10~3 1/К).
В последнее время наблюдается неуклонный рост спроса на термоэлектрические устройства как электрогенерирующего, так охлаждающего и термостатирующего назначения. Рост производства охлаждающих, термостатирующих и особенно электрогенерирующих устройств, сдерживается стоимостью термоэлектрических модулей, которая в значительной степени определяется стоимостью термоэлектрических материалов.
Все более широкое использование термоэлектрических материалов в современной технике задает все более высокие требования по надежности, стабильности и эффективности этих материалов. Например, международным стандартом Telcordia GR-468-CORE, разработанным применительно к телекоммуникационной аппаратуре, предписано, чтобы термоэлектрические модули выдерживали хранение при 85 °C в течение не менее 2000 часов без существенного (более 5%) изменения характеристик. Удовлетворение этих требований для материалов Р-типа в рамках метода Бриджмена без существенного снижения термоэлектрической эффективности само по себе является сложной задачей. Дополнительные трудности возникают вследствие директивы ЕС, запретившей с 01.06.2006 г. для сборки электронных изделий использование свинцовосодержащих припоев. Заменившие их припои, как правило, содержат в своем составе медь и серебро, которые являются электрически активными быстродиффундирующими примесями в материалах Ри N-типа. Поэтому разработка стабильных при повышенных температурах термоэлектрических ветвей с надежными барьерными покрытиями, защищающими их от диффузии примесей, является актуальной задачей.
Стабильность свойств во времени, являющаяся одной из важнейших характеристик термоэлектрического материала, зависит от того, являются ли примеси и дефекты в неравновесном или близком к равновесному состоянию при рабочих температурах термоэлемента.
Основная цель работы заключалась в получении с помощью модифицированного метода Бриджмена термоэлектрических ветвей с антидиффузионными металлическими покрытиями, нанесенными на поверхность этих материалов, и сборки из них ТОМ с характеристиками, стабильными при повышенных температурах (до 150°С).
Объектом исследования являлись термоэлектрические пластины пи ртипа проводимости, получаемые модифицированным методом Бриджмена на предприятии ООО НПО «Кристалл».
Конкретные задачи заключались в следующем:
— определение исходного состава расплава для выращивания кристаллов Р-типа модифицированным методом Бриджмена с помощью исследований диаграммы состояния системы В1гТез—БЬгТез;
— определение условий диффузионного и стабилизирующего отжигов выращенных кристаллов Р-типа;
— выбор состава, толщины и способа нанесения барьерного слоя на поверхность материалов Ри Ы-типа;
— получение образцов ТОМ и проведение испытаний на устойчивость к температуре 150 °C в течение не менее 1000 часов.
5. Основные результаты и выводы.
1. Разработан технологический процесс изготовления ветвей термоэлектрических материалов для ТОМ, который характеризуется устойчивостью ветвей и ТОМ к повышенным температурам (до 150°С) за счет оптимизации состава и введения дополнительного стабилизирующего отжига материала р-типа проводимости.
2. На основании экспериментальных исследований фазового равновесия в системе Вь Те-БЬ методом ДТА уточнен квазибинарный политермический разрез В1гТез — 8Ь2Те3.
3. Разработан алгоритм расчета параметров смешения бинарных систем и коэффициентов активности в тройной системе ВьТе-БЬ с использованием приближения Колера. Предложен новый метод расчёта параметра смешения, основанный на комбинировании элементов моделей простого и регулярного растворов, позволяющий учесть диссоциацию соединений, растворяющихся друг в друге.
4. На основании результатов исследований фазового равновесия в системе ВьТе-БЬ и экспериментальных данных по устойчивости кристаллов к повышенным температурам найден оптимальный состав р-типа — (В1о258Ьо75)2Тв2 948еообПоказано, что использование этого состава позволяет увеличить температурную стабильность материала р-типа при незначительном снижении его эффективности (2р"3,1×10 К").
5. Показано, что дополнительный стабилизирующий отжиг термоэлектрического материала р-типа состава (В^ 25§-Ьо 75)2Те2 эпЭео ог> при 350 °C в среде инертного газа в течение не менее 12 часов не приводит к снижению термоэлектрической эффективности материала.
6. Для создания надежного барьера для диффузии примесей в основной материал предложено использовать слой молибдена толщиной ~ 1 мкм, нанесенный на поверхность материалов методом магнетронного распыления. Показано, что сочетание коммутационного слоя никеля толщиной 4−6 мкм и защитного слоя олово — висмут (1%) толщиной 4−6 мкм, нанесенных в едином технологическом процессе, позволяет устранить влияние состава припоев на температурную устойчивость ТОМ.
7. Разработанный процесс получения ветвей термоэлектрических материалов был использован для изготовления ТОМ типа 8−127−14−15. Испытания на устойчивость ТОМ к хранению при 150 °C в течение 1000 часов показали, что итоговое изменение электрического сопротивления составило не более 4,7%, а термоэлектрической эффективности — не более 5%.
Список литературы
- Гольцман Б.М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. -М.: Наука, 1972. -С. 320.
- Анатычук Л.И. «Термоэлементы и термоэлектрические устройства» Киев, изд. Наукова думка, 1979,768 с.
- P. W. Lange, Naturwiss. 207, 133 (1939)
- Francombe М.Н. // Brit. J. Appl. Phys. -1958. -V. 9. -P. 415.
- Кузнецов В.Г. // Химическая связь в полупроводниках и твердых телах: Сборник докл. Минск: Наука и техника, 1965. -С. 311.
- Drabble J.R., Goodman С.Н. // J. Phys. Chem. Sol. -1958. -V. 5. -P. 142.
- Haneman D. // Phys. Rev. -1960. -V. 119. -P. 567.
- Satterwaite C., Ure R. // Phys. Rev. -1957. -V. 108. -P. 1164.
- Л. В. Порецкая, H. X. Абрикосов. B.M. Глазов. ЖНХ 8, 1196 (1963)
- H. Rodot, H. Benel, Sol. St. Phys. Electronics Telekomm. 2, 692 (1960)
- Offergeld G., Cakenberghe J. //Nature. -1959. -V. 184. -P. 185.
- Offergeld G" Cakenberghe J. // Phys. Chem. 11.-1959 P310
- F.A. Kroger, J. Phys. Chem. Sol. 7, 276 (1958)
- F.A. Kroger, sol. St. Phys. 3, 315, 366 (1968)
- H. J. Goldsmid, W. Dougls, Brit. J. Appl. Phys. 5, 386 (1954)
- H. J. Goldsmid, Thermoelectric Refrigeration, N. Y., 1964
- O. P. Manley, J. Phys. Rad. 18, 39A (1957)
- Teramoto, S. Takayanagi, J. Phys. Chem. Sol. 19, 124 (1961)
- T.C. Harman, S.E. Miller, H.L. Goeing, Bull. Amer. Phys. Sol. Ser. II, 30, 35 (1955)
- T.C. Harman et al., J. Phys. Chem. Sol. 2, 181 (1957)
- G.R. Miller, Che-Yu-Li, J. Phys. Chem. Sol. 26, 173 (1965)
- V.A. Kutasov, I.A. Smirnov, Phys. Stat. Sol. 18, 479 (1966)
- B.A. Кутасов, И. А. Смирнов, Изв. АН ССР, Неорг. Материалы 3, 380 (1967)
- T.C. Harman, J.H. Cahn, M.J. Logan, J. Appl. Phys. 30, 1351 (1959)
- A. Smakula, V. Sils, Phys. Rev. 99, 1744 (1955)
- M.H. Francobe, Brit. J. Appl. Phys. 9,415 (1958)
- В. А. Кутасов, И. А. Смирнов, Изв. АН ССР, Неорг. Материалы 3, 380 (1967)
- А. С. Glatz, J. Electrochem. Soc. 112, 1204 (1965)
- A. Broun, B. Lewis, J. Phys. Chem. Sol. 23, 1597 (1962)
- C.A. Семилетов, Труды института кристаллографии АН СССР, вып. 10,180,1954
- Н. Н. Soonpaa, J. Phys. Chem. Sol. 25, 1107 (1956)
- Б. И. Болтакс, Н. А. Федорович, «Диффузия в термоэлектрических материалах» в книге «Термоэлектрические свойства полупроводников» М., 1963, 3−15
- Горелик С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: — МИСИС 2003, 330−333
- Иоффе A.B., Иоффе А. Ф. // Доклады АН СССР т. 98, -с 757
- Дик М.Г., Абдинов Д. Ш. Сопротивление переходного контакта и адгезионные свойства границы раздела твердых растворов системы Bi2Te3 Bi2Se3 с эвтектикой Bi-Sn. — 1988. Т. 24. N 9. С. 1558−1559.
- В. Haneman, Phyz. Rev. 119, 567 (1960).
- U. Birkholz, Z. Natuforsch. 13a, 780 (1958).
- H. Tamura, Jap. J. Appl. Phyz. 5, 593 (1966).
- L. Ainsworth, Proc. Phyz. Soc. 62B, 606 (1956).
- Млодзеевский А.Б. «Геометрическая термодинамика» M.: Изд-во МГУ -1956.92с
- Есин O.A. «Термодинамическое исследование диаграмм плавкости диссоциирующих химических соединений» Изв. сектора физ.-хим. анализа. 1949 — Т. 17 -С. 38−63
- Есин O.A. «Кривизна максимума кривых плавкости как функция диссоциации химического соединения» Изв. сектора физ.-хим. анализа. 1949 — Т. 19. — С. 151−154.
- Стронкин A.B. «Термодинамика гетерогенных систем» Ч. 1−2. — Л.: Изд-во ЛГУ. -1967.-448с.
- Глазов В.М., Павлова Л. М. «Оценка степени диссоциации сложных соединений в приближении регулярных растворов» Докл. АН СССР. 1975. — Т. 225. — № 6. С. 1347−1350
- Глазов В.М., Павлова Л. М. «Степень диссоциации теллуридов галлия и индия в точке плавления по данным кривизны ликвидуса» Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1977. -Т. 13. — № 2. — С. 217 — 221.1
- Глазов В.М., Павлова Л. М. «Расчет степени диссоциации полупроводниковыхсоединений по кривизне ликвидуса» М.: РИО МИЭТ. — 1980. — 77 с.
- Казаков А.И., Мокрицкий В. А., Романенко В. Н., Хитова Л. «Расчёт фазовых равновесий в многокомпонентных системах» М.: Металлургия, 1987. 136 с.
- Романенко В.Н., Иванов-Омский В.В. ДАН СССР, 1979, т. 129, № 3, с 553−555
- Никитина Г. В., Романенко В. Н. ДАН ССР, 1966, т. 170, № 1, с 107−109
- Пригожин И., Дефей Р. Химическая термодинамика: Пер. с англ. Новосибирск: Наука, 1966, -357 с.
- Глазов В.М., Павлова JI.M. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1988, — 560 с.
- Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы двухкомпонентных систем. М.: Изд. МГУ, 1980,-152 с.
- Кауфман Л., Бернстейн Ч. Расчёт диаграмм состояния с помощью ЭВМ: пер. с англ. М.: Мир, 1972. -326 с
- Уфимцев В.Б., Акчурин Р. Ч. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия 1983. — 222 с.
- Андреев В.М., Долгинов Л. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: 1975−328 с.
- Ansara I. Int. Metals Rev., 1979 v. 24, N 1, p. 20 — 53.
- Воронин Г. Ф. Математические проблемы фазовых равновесий. — Новосибирск. Наука, 1983, с. 5−40
- Уфимцев В.Б., Лобанов A.A. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1981.-216с.
- Герасимов Я. И., Гейдерих В. А. Термодинамика растворов. М.: Изд. МГУ, 1980.
- Гиббс Д.В. Термодинамика. Статистическая механика: Пер. с англ. — М.:Наука, 1982.-582 с.
- Veieland L.I. Acta Metall, 1963, v. 11 N 2, p. 137−145.
- Wagner С. Acta Metall, 1958, v. 6, N 5, p. 309 — 317.
- Barin I., Kncke O. Thermochemical properties of inorganic substances Berlin: Springer-Verlag, 1973. — 512 p.
- Глазов B.M. Ж.Физ. Химии, 1977, т. 51, № 10, с 2549—2552
- Глазов В.М., Павлова Л. М., Москвинова H.A. «Доклады академии наук СССР» Том 225, № 5, 1975. с. 1096−1099.I
- Stringfellow G. В. J. Phys. Chem. Solids, 1972 v. 33, N 3, p. 665 — 678.
- Jordan A.S. J.Electrochem. Soc., 1972, v. 119, N 1, p. 123−126
- Берг Л.Г. Введение в термографию M.: Наука, 1969.
- Морачевский А.Г., Сладков И.Б. Термодинамические расчеты в металлургии
- У. Уэндландт «Термодинамические методы анализа» изд. Мир, М. 1979, с. 527.
- Аносов В.Я., Озерова М. И., Филаков Ю.Я «Основы изико-химического анализа» -М.: Наука, 1976. — с. — 504.
- Аносов В.Я., Погодина С. А. «Основные начала физико-химического анализа» М.-Л.: Изд-во АН СССР. — 1947. — 877 с.
- Курнаков Н.С. Введение в физико-химический анализ: 3-е изд. — JL: ОНТИ. 1936. -194 с.
- Stringfellow G.B., Green Р.Е. J. Electrochem. Soc., 1970, v. l 17, № 8
- А.Г. Морачевский, И. Б. Сладков «Термодинамические расчеты в металлургии» Справочник. Изд. Металлургия, 1993. с. 304
- Л.П. Рузинов, Б. С. Гуляницкий «Равновесные превращения. Справочникметаллургических реакций» М. Металлургия, 1975, 416 стр.
- Герасимов Я.И., ГейдерихВ.А. «Термодинамика растворов» М.: мГУ, 1980, с. 181
- Kohler F. Monatshefte fur Chemie, 1960, v. 91, N 3, p. 738−740
- C. Champness, P. Chiang, P. Parekh, Canad. J. Phys. 43, 653 (1965).
- L. Liebe, Ann. Phyz. 15, 179 (1965).
- J. Parrott, A. Penn, Sol, 81. Phyz. Electronics Telecomm. 2, 836 (1960).
- L. Ainsworth, Proc. Phyz. Soc. 62B, 606 (1956).
- F.D. Rosi, B. Adeles, R.V. Jensen, J. Phyz. Chem. Sol.10,191 (1959).
- А.Ф. Скубенко, Укр. Физ. Журн. 5, 779 (1960).
- О. Falzer, Н. Nieke, Ann. Phyz. 15,192 (1965).
- Алексеева Г. Т., Ведерников М. В. и др. «Физика и техника полупроводников», том 34, вып. 8, 2000.
- Simard J-M., Vasilevsky D., Belanger F., Ecuyer J.L., Turenne S. Production of Thermoelectric Materials by Mechanical Alloying Extrusion Process. Proceedings ICT'01 20 International Conference on Thermoelectrics, 2001
- Shikada Zenichi, Kamei Katsumoto,. Thermoelectric module and method for ! manufacturing it. Patent abstract of Japan, publication number 9 293 909, 11.11.97.
- Sokolov O.B., Skipidarov S.Ya., Duvankov N.I. The Variation of the Equilibrium of Chemical Reactions in the Process of (Bi2Te3)(Sb2Te3)(Sb2Se3) Zone-melting Material Production. Proceedings ICT'01 20 International Conference on Thermoelectrics, 2001.
- Stuart B. Horn, Elizabeth H. Nelson. Thermal Conductivity Enhancement Technique. Pat/ US 5 525 162, 11.06.1996.
- R. Porter, C. Spencer, J.Chem. Phyz. 32, 943 (1960).i
- H. Schreiner, F. Wendler, Z. Metallkunde 57, 708 (1966).
- Л.Н. Лукьянова. ФТТ 32, 488 (1990). 67
- Белов Ю.М.. Свидетельство на полезную модель № 26 161 «Полупроводниковое изделие и изготовленная из него деталь для термоэлектрических устройств»
- Дик М.Г., Рыбина Л. Н. и др., Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. № 4. с. 688−690.
- Ufimtsev V.B. end al., Advanced Performance Materials., 1997,4, p. 189.
- Алиева Т.Д. и др. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1997, Т. 33, № 1, с. 27.
- Harman Т.С. Measurement of Pertinent thermoelectric Properties. // Thermoelectric Materials and Devices. Cadoff I.B., Miller E., Reinhold, 1967, chap.6.
- Белов Ю.М. Патент на изобретение № 2 172 540 «Полупроводниковое изделие» (Профилированный кристалл с армирующим поясом).
- Белов Ю.М., Maekawa Nobuteru, Заявка PCT/JP98/36. «Литая пластина, изготовленная из термоэлектрического материала, прямоугольный брусок, вырезанный из литой пластины и способ изготовления литой пластины».
- Манякин С.М., Волков М. П., Сидоров А. А. «Температурная устойчивость параметров термоэлементов с многослойными вакуумными покрытиями на основе теллуридов висмута и сурьмы» сборник статей конференции ICT 2005.
- Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. М., Химия, 1977, 352 с.
- Тополянский П.А. «Исследование ионно-плазменных износостойких покрытий на инструментальных сталях». Металлообработка. 2004, № 1 (19), 24с.
- Тушинский Л.И., Плохов А. В. «Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий». Наука 1986, 216 с.
- Труды А.Н. «Температуроустойчивые защитные покрытия», Наука 1968, 356с.
- Морачевский А.Г. «термодинамика расплавленных металлических и солевых систем» М: Металлургия, 1987, 240 с
- Патент «Электроискровой способ резки кристаллических пластин» (решение о выдаче патента от 25.05.2009 г. на заявку № 2 008 131 326/02). Авторы Рябинин Д. Г., Санеев С.В.